[發明專利]低電源電壓下、具有寬調諧范圍的毫米波壓控振蕩器在審
| 申請號： | 201910242544.1 | 申請日： | 2019-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN110061697A | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發明（設計）人： | 謝生;王敏;毛陸虹 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H03B5/12 | 分類號： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 李林娟 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓控振蕩器 調諧 低電源電壓 毫米波 負阻單元 輸出緩沖級電路 輔助電路 尾電流源 主振電路 電感電容壓控振蕩器 后級電路 開關電容 維持振蕩 細微調節 噪聲性能 直流偏置 低功耗 共源級 諧振腔 振蕩 粗調 隔離 | ||
1.一種低電源電壓下、具有寬調諧范圍的毫米波壓控振蕩器，其特征在于，所述壓控振蕩器由負阻單元、尾電流源、主振電路、輔助電路、輸出緩沖級電路，
其中，負阻單元為諧振腔提供能量以維持振蕩，尾電流源為負阻單元提供直流偏置；主振電路為電感電容壓控振蕩器，實現振蕩并對頻率進行細微調節；
輔助電路由開關電容構成，實現頻率的粗調，輸出緩沖級電路采用共源級結構，實現壓控振蕩器與后級電路的隔離。
2.根據權利要求1所述的一種低電源電壓下、具有寬調諧范圍的毫米波壓控振蕩器，其特征在于，
所述負阻單元采用NMOS型壓控振蕩器，減少寄生電容和PMOS交叉耦合管引入的額外噪聲。
3.根據權利要求1所述的一種低電源電壓下、具有寬調諧范圍的毫米波壓控振蕩器，其特征在于，
所述主振電路采用電感電容振蕩器結構，包括：一個電感L和兩組可調電容，通過選取電感感值和電容容值，控制振蕩頻率。
4.根據權利要求3所述的一種低電源電壓下、具有寬調諧范圍的毫米波壓控振蕩器，其特征在于，
在兩組偏置電壓的控制下，使可調電容的容值曲線變化率的最大曲線控制在控制電壓的范圍內，控制壓控振蕩器的頻率變化，使在每個頻段范圍內的高頻與低頻部分與相連的頻段有頻率重疊。
5.根據權利要求1所述的一種低電源電壓下、具有寬調諧范圍的毫米波壓控振蕩器，其特征在于，
所述輔助電路采用開關電容陣列結構，擴展頻率范圍，通過三組電壓分別控制三組電容的導通與斷開，每三個MOS管構成一組開關。
6.根據權利要求1所述的一種低電源電壓下、具有寬調諧范圍的毫米波壓控振蕩器，其特征在于，所述壓控振蕩器的最大和最小振蕩頻率為：
其中，L為抽頭電感；Cvmin～Cvmax為可調電容的容值變化區間；Cp為寄生電容；C1、C3、C5均為電容。
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