[發(fā)明專利]一種橋式直流變換器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910241628.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109921649A | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 巫旺 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M3/335 | 分類號(hào): | H02M3/335 |
| 代理公司: | 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 44217 | 代理人: | 陸軍 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 整流單元 直流變換器 箝位開關(guān)管 箝位單元 橋式 變壓器 負(fù)輸出端 逆變單元 正輸出端 箝位電容 副邊 低邊驅(qū)動(dòng) 電平信號(hào) 高邊驅(qū)動(dòng) 技術(shù)難度 瞬態(tài)電壓 依次串聯(lián) 開關(guān)管 控制端 關(guān)斷 原邊 箝位 電路 輸出 開通 配置 | ||
本發(fā)明提供了一種橋式直流變換器,包括逆變單元、變壓器和整流單元,逆變單元連接在變壓器的原邊,整流單元連接在變壓器的副邊,橋式直流變換器還包括有源箝位單元和控制單元,有源箝位單元連接在整流單元的正輸出端和負(fù)輸出端之間,并用于對(duì)整流單元的開關(guān)管的瞬態(tài)電壓應(yīng)力進(jìn)行箝位,有源箝位單元包括箝位開關(guān)管和箝位電容,且箝位電容和箝位開關(guān)管依次串聯(lián)連接在整流單元副邊的正輸出端和負(fù)輸出端之間;控制單元連接到箝位開關(guān)管的控制端,并向箝位開關(guān)管輸出開通和關(guān)斷的電平信號(hào)。本發(fā)明提供的橋式直流變換器,其有源箝位單元通過(guò)使用PMOS實(shí)現(xiàn)了低邊驅(qū)動(dòng),無(wú)需額外配置高邊驅(qū)動(dòng)電路,降低了技術(shù)難度,也顯著降低了設(shè)計(jì)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及開關(guān)電源領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及一種橋式直流變換器。
背景技術(shù)
隔離型橋式整流拓?fù)湓诖蠊β书_關(guān)電源、低壓大電流場(chǎng)合應(yīng)用廣泛。在車載電源領(lǐng)域,因其拓?fù)浜?jiǎn)單可靠、技術(shù)原理成熟、性能優(yōu)良而備受青睞。
隔離型橋式拓?fù)?典型拓?fù)錇槿珮蜃儞Q器)由于主變壓器不可避免存在漏感,副邊同步整流MOS(MOSFET的簡(jiǎn)稱,MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)也不可避免存在結(jié)電容,在原邊MOS開通的瞬間,原邊漏感和副邊MOS結(jié)電容諧振,在副邊MOS結(jié)電容上形成很高的諧振尖峰,如不加處理,將會(huì)對(duì)副邊MOS的可耐受電壓應(yīng)力構(gòu)成挑戰(zhàn)。
關(guān)于副邊應(yīng)力處置上,當(dāng)前業(yè)內(nèi)主流的技術(shù)主要有無(wú)源RCD(電阻-電容-二極管)箝位,以及有源箝位技術(shù)。
無(wú)源RCD箝位作為一種經(jīng)典的應(yīng)力處置方法,電路簡(jiǎn)當(dāng)可靠,成本低廉;但是它對(duì)應(yīng)力的箝位效果不如可以靈活控制箝位時(shí)機(jī)的有源箝位技術(shù)。
橋式拓?fù)涮幹酶边厬?yīng)力的有源箝位技術(shù),可以根據(jù)實(shí)際電路調(diào)試情況,靈活配置箝位管的開關(guān)時(shí)機(jī),而取得最優(yōu)的應(yīng)力處置。一般地,傳統(tǒng)的有源箝位電路由一個(gè)NMOS(N型MOSFET,N-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,NMOSFET,N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和一個(gè)電容串聯(lián)構(gòu)成。該種箝位結(jié)構(gòu)NMOS的源極接在高壓一側(cè),驅(qū)動(dòng)電路屬高邊驅(qū)動(dòng),增加了控制的復(fù)雜性,給驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)帶來(lái)困難;在硬件上,還需配置相應(yīng)的浮驅(qū)器件、電路,因而成本也需上升。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題在于,針對(duì)上述在傳統(tǒng)的橋式直流變換器中,箝位結(jié)構(gòu)NMOS的源極接在高壓一側(cè),驅(qū)動(dòng)電路屬高邊驅(qū)動(dòng),增加了控制的復(fù)雜性,給驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)帶來(lái)困難;在硬件上,還需配置相應(yīng)的浮驅(qū)器件、電路,因而成本也需上升的問(wèn)題,提供一種新的橋式直流變換器。
本發(fā)明實(shí)施例解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是,提供一種橋式直流變換器,包括逆變單元、變壓器和整流單元,所述逆變單元連接在所述變壓器的原邊,所述整流單元連接在所述變壓器的副邊,所述橋式直流變換器還包括有源箝位單元和控制單元,所述有源箝位單元連接在所述整流單元的正輸出端和負(fù)輸出端之間,并用于對(duì)所述整流單元的開關(guān)管的瞬態(tài)電壓應(yīng)力進(jìn)行箝位,所述有源箝位單元包括箝位開關(guān)管和箝位電容,且所述箝位電容和所述箝位開關(guān)管依次串聯(lián)連接在所述整流單元副邊的正輸出端和負(fù)輸出端之間;所述控制單元連接到所述箝位開關(guān)管的控制端,并向所述箝位開關(guān)管輸出使所述箝位開關(guān)管開通和關(guān)斷的電平信號(hào)。
在本發(fā)明實(shí)施例所述的橋式直流變換器中,所述箝位開關(guān)管為PMOS管,所述PMOS管的源極與所述整流單元的負(fù)輸出端相連,所述PMOS管的漏極經(jīng)由所述箝位電容連接到所述整流單元的正輸出端,所述PMOS管的柵極連接到所述控制單元,并接收所述控制單元輸出的開通和關(guān)斷的電平信號(hào)。
在本發(fā)明實(shí)施例所述的橋式直流變換器中,所述控制單元連接到所述逆變單元的開關(guān)管的控制端,并在所述逆變單元的開關(guān)管開通時(shí)間達(dá)到第一預(yù)設(shè)時(shí)間段開通所述PMOS管,在所述逆變單元的開關(guān)管關(guān)斷之前第二預(yù)設(shè)時(shí)間段關(guān)斷所述PMOS管。
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒(méi)有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動(dòng)態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動(dòng)態(tài)變換器組合的;由機(jī)電變換器與另一動(dòng)態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的





