[發(fā)明專利]屏下攝像組件及相應的終端設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910241369.4
• 申請日: 2019-03-28
• 公開（公告）號: CN111755617B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 景燎;吳旭東;劉思遠
• 申請（專利權）人: 寧波舜宇光電信息有限公司
• 主分類號: H10K50/86
• 分類號: H10K50/86;H10K59/122;H04M1/02
• 代理公司: 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472
• 代理人: 陳琳琳;葉北琨

1.屏下攝像組件，其特征在于，包括：

有機發(fā)光二極管顯示屏，其顯示區(qū)域包括屏下攝像區(qū)域和非屏下攝像區(qū)域；其中所述屏下攝像區(qū)域的像素密度設置成小于所述非屏下攝像區(qū)域的像素密度，所述屏下攝像區(qū)域的每個像素均具有發(fā)光層和圍繞在所述發(fā)光層周圍的隔離柱，所述隔離柱的側壁傾斜且所述隔離柱圍繞所述發(fā)光層而形成的開口由下至上逐漸擴大；以及

攝像模組，其光軸垂直于所述有機發(fā)光二極管顯示屏的表面，并且所述攝像模組位于所述屏下攝像區(qū)域的后端；

其中，所述隔離柱采用透光材料制作，并且所述隔離柱的所述側壁上附著有阻光層；

所述的有機發(fā)光二極管顯示屏包括TFT層，在所述屏下攝像區(qū)域中，所述TFT層具有多個TFT開關單元和多個觸點，每個所述TFT開關單元均位于與其對應的像素的發(fā)光結構的正下方，每個觸點均位于相鄰的所述發(fā)光結構之間的間隙的正下方；所述觸點的上方形成凹槽狀的過孔，所述過孔附著有導電納米線和/或所述發(fā)光結構的陰極，使得所述發(fā)光結構的陰極通過所述過孔與所述觸點導通；并且，透光材料填充所述過孔并覆蓋在附著于所述過孔的所述納米線和/或所述陰極的上表面。

2.根據權利要求1所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述側壁與所述有機發(fā)光二極管顯示屏的發(fā)光面的法線的夾角小于30°。

3.根據權利要求1所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述阻光層完全覆蓋所述側壁。

4.根據權利要求1所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述阻光層覆蓋所述側壁的部分區(qū)域，所述側壁的剩余部分區(qū)域暴露在所述阻光層以外。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述攝像模組用于成像并輸出圖像數據；

所述屏下攝像組件還包括數據處理模塊，其用于通過數據處理算法來濾除所述圖像數據中的雜散光，其中所述雜散光是入射光通過所述有機發(fā)光二極管顯示屏過程中，在所述非屏下攝像區(qū)域的內部微結構的折射、反射和衍射效應下而產生的雜散光。

6.根據權利要求5所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述數據處理模塊還用于基于機器學習技術提取所述雜散光的特征向量并訓練所述雜散光的識別模型，以及基于所訓練的所述識別模型來濾除所述雜散光。

7.根據權利要求1所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述屏下攝像區(qū)域的像素間距設置成大于所述非屏下攝像區(qū)域的像素間距，其中所述的像素間距是所述有機發(fā)光二極管顯示屏的相鄰像素的發(fā)光結構之間的間距。

8.根據權利要求1所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述的有機發(fā)光二極管顯示屏依次包括：陰極層、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、緩沖層和陽極；其中所述發(fā)光層被隔離開，形成多個所述的像素。

9.根據權利要求8所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述發(fā)光層制作于其下層結構所形成的凹槽的底部，且所述凹槽深度大于所述發(fā)光層的高度，所述凹槽的側壁為所述隔離柱的側壁，其中所述下層結構是電子傳輸層或空穴傳輸層。

10.根據權利要求8所述的屏下攝像組件，其特征在于，在所述屏下攝像區(qū)域中，所述陰極層的對應于所述像素之間間隙的位置具有通光槽。

11.根據權利要求8所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述的有機發(fā)光二極管顯示屏還包括背板薄膜，在所述屏下攝像區(qū)域中，所述背板薄膜的對應于所述像素之間間隙的位置具有通光槽。

12.根據權利要求1所述的屏下攝像組件，其特征在于，所述屏下攝像組件還包括：第一控制單元，其用于在所述攝像模組不工作狀態(tài)下控制所述屏下攝像區(qū)域和所述非屏下攝像區(qū)域均顯示圖像；并且在所述攝像模組工作狀態(tài)下控制所述屏下攝像區(qū)域的顯示功能關閉。