[發明專利]三維存儲器的制備方法、三維存儲器、電子設備

在審

• 申請號: 201910240951.9
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN110047838A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 趙婷婷;鮑琨;夏志良;宋豪杰;吳建中;劉磊;張含玉
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11526
• 分類號: H01L27/11526;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11531
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導體器件，所述半導體器件包括襯底、臺階結構、以及平坦層，所述臺階結構設于所述襯底上，所述臺階結構包括臺階部和存儲部，所述平坦層覆蓋所述襯底和所述臺階結構；

在所述平坦層表面形成層間介質層；

形成貫穿所述層間介質層及所述平坦層的多個接觸孔和多個通孔，所述接觸孔對應所述襯底和/或所述臺階部，所述通孔對應所述存儲部；以及

提供導電材料，在所述接觸孔內形成接觸件、且在所述通孔內形成連接件。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述接觸件背離所述襯底的表面與所述連接件背離所述襯底的表面平齊。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，“提供導電材料，在所述接觸孔內形成接觸件、且在所述通孔內形成連接件”包括：

淀積所述導電材料，所述導電材料淀積在所述層間介質層上、所述接觸孔內、及所述通孔內，淀積在所述層間介質層上的所述導電材料為淀積層；

去除所述淀積層，位于所述接觸孔內的所述導電材料形成所述接觸件，位于所述通孔內的所述導電材料形成所述連接件。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，去除所述淀積層時，采用平坦化工藝去除所述淀積層。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述層間介質層的材質包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和摻雜氧化硅中的任意一種或多種的組合。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述平坦層表面形成層間介質層時，所述層間介質層是通過噴涂、旋涂、化學氣相沉積、物理氣相沉積或原子層沉積中的任意一種方法制備而成。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在“在所述平坦層表面形成層間介質層”之前，所述制備方法還包括：

形成多個溝道層，所述溝道層至少部分內嵌于所述存儲部及所述襯底內，所述連接件連接所述溝道層。

8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成貫穿所述層間介質層及所述平坦層的多個通孔時，所述通孔與所述溝道層連接。

9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述三維存儲器具有外圍區及陣列存儲區，形成貫穿所述層間介質層及所述平坦層的多個接觸孔時，位于所述外圍區的所述部分接觸孔還貫穿部分所述襯底。

10.一種三維存儲器，其特征在于，包括襯底、臺階結構、平坦層、層間介質層、多個接觸件、以及多個連接件，所述臺階結構設置于所述襯底上，所述平坦層覆蓋所述襯底和所述臺階結構，所述層間介質層設置于所述平坦層上，所述臺階結構包括臺階部和存儲部，所述多個接觸件內嵌于所述層間介質層及所述平坦層且與所述襯底和/或所述臺階部相連，所述多個連接件內嵌于所述層間介質層及所述平坦層且對應所述存儲部，所述接觸件背離所述襯底的表面與所述連接件背離所述襯底的表面平齊。

11.如權利要求10所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器具有外圍區及陣列存儲區，所述外圍區用于設置外圍電路，所述陣列存儲區用于設置所述臺階結構，位于所述外圍區的所述接觸件包括第一接觸件，所述第一接觸件連接位于所述外圍區的所述襯底。

12.如權利要求11所述的三維存儲器，其特征在于，位于所述外圍區的所述接觸件還包括第二接觸件，所述第二接觸件內嵌于位于所述外圍區的所述襯底內。

13.如權利要求10所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括多個溝道層，所述溝道層的至少部分內嵌于所述存儲部及所述襯底內，所述連接件連接所述溝道層。

14.一種電子設備，其特征在于，包括處理器和如權利要求10-13任一項所述的三維存儲器，所述處理器用于向所述三維存儲器中寫入數據和讀取數據。