[發明專利]一種高耐壓能力的異質結半導體器件

有效

• 申請號: 201910240465.7
• 申請日: 2019-03-27
• 公開（公告）號: CN110047910B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 劉斯揚;李勝;張弛;陶心怡;李寧波;孫偉鋒;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/41;H01L21/335;H01L29/778
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種高耐壓能力的異質結半導體器件，包括：襯底(1),在襯底(1)上設有第一溝道層(2)，在第一溝道層(2)上設有第二溝道層(5)、金屬漏極(8)和第二金屬源極(4b)，在第二溝道層(5)上設有第二勢壘層(6)并形成第二溝道(5a)，所述金屬漏極(8)和第二金屬源極(4b)分別位于第二溝道層(5)和第二勢壘層(6)的兩側，在所述第二勢壘層(6)中設有柵極且柵極采用凹槽柵結構，所述凹槽柵結構嵌入第二勢壘層(6)中并由柵介質(9)和位于柵介質(9)中的柵極金屬(10)構成,其特征在于，在第二溝道層(5)內設有隔離層(7)并將第二溝道層(5)分隔成上層和下層，在第二溝道層(5)的下層與第一溝道層(2)之間設有第一勢壘層(3)并形成第一溝道(2a)，所述金屬漏極(8)的底面與第一勢壘層(3)底面平齊，在第二金屬源極(4b)與所述第一溝道層(2)之間設有第一金屬源極(4a)，所述第一金屬源極(4a)與第一溝道(2a)形成肖特基接觸，所述第二金屬源極(4b)與第二溝道(5a)形成歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的一種高耐壓能力的異質結半導體器件，其特征在于，所述隔離層(7)底部與第一勢壘層(6)頂部的距離不小于0.1μm。

3.根據權利要求2所述的一種高耐壓能力的異質結半導體器件，其特征在于，在第二溝道層(5)的下層與第一勢壘層(3)之間至少設有一組相互層疊的溝道層(11)和勢壘層(12)并在溝道層(11)和勢壘層(12)形成有電流溝道。

4.根據權利要求2所述的一種高耐壓能力的異質結半導體器件，其特征在于，相互層疊的溝道層(11)和勢壘層(12)之間的電流溝道與所述第一金屬源極(4a)形成肖特基接觸。