[發明專利]襯底處理裝置以及半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201910240450.0
• 申請日: 2016-07-27
• 公開（公告）號: CN110010526A
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 西堂周平;吉田秀成;山口天和;中田高行;谷山智志
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;沈靜

本發明提供一種能夠縮短處理室內的升溫時間的襯底處理裝置以及半導體器件的制造方法。襯底處理裝置具備：處理室，其對襯底進行處理；襯底保持件，其在處理室內保持襯底；處理氣體供給部，其向處理室內供給處理氣體；第1加熱器，其設置于處理室外，對處理室內進行加熱；隔熱部，其設置于襯底保持件的下方；第2加熱器，其設置于隔熱部內，對處理室內進行加熱；以及吹掃氣體供給部，其向隔熱部內供給吹掃氣體，對隔熱部內進行吹掃。

本申請是申請號為201610602519.6、申請日為2016年7月27日、發明名稱為“襯底處理裝置以及半導體器件的制造方法”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及襯底處理裝置以及半導體器件的制造方法。

背景技術

在半導體器件(設備)的制造工序中的襯底的熱處理中，使用例如縱型襯底處理裝置。在縱型襯底處理裝置中，將規定張數的襯底沿垂直方向排列并保持于襯底保持件，將襯底保持件搬入至處理室內。之后，在通過設置于處理室外的加熱器對襯底進行了加熱的狀態下向處理室內導入處理氣體，對襯底進行薄膜形成處理等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-218040號公報

發明內容

在以往的縱型襯底處理裝置中，具有在處理室內的下方熱量容易散逸的情況。因此，尤其是在將位于處理室下方的襯底升溫至處理溫度時，具有需要延長升溫時間的情況。

本發明的目的在于，提供一種能夠縮短處理室內的升溫時間的技術。

根據本發明的一個方式，提供一種技術，具備：

處理室，其對襯底進行處理；

襯底保持件，其在所述處理室內保持所述襯底；

處理氣體供給部，其向所述處理室內供給處理氣體；

第1加熱器，其設置于所述處理室外，對所述處理室內進行加熱；

隔熱部，其設置于所述襯底保持件的下方；

第2加熱器，其設置于所述隔熱部內，對所述處理室內進行加熱；以及

吹掃氣體供給部，其向所述隔熱部內供給吹掃氣體，對所述隔熱部內進行吹掃。

發明效果

根據本發明，能夠縮短處理室內的升溫時間。

附圖說明

圖1是以縱剖視圖表示適合在本發明的實施方式中使用的襯底處理裝置的處理爐部分的圖。

圖2是表示適合在本發明的實施方式中使用的襯底處理裝置的隔熱部的縱剖視圖。

圖3是表示適合在本發明的實施方式中使用的襯底處理裝置的承托部的俯視圖。

圖4是表示適合在本發明的實施方式中使用的襯底處理裝置的控制器的控制系統的框圖。

圖5是表示使吹掃氣體供給位置變化的情況下的圓筒部內的處理氣體的摩爾分率的圖。

圖6是表示使吹掃氣體供給位置變化的情況下的處理室內的處理氣體的摩爾分率的圖。

圖7是表示通過本發明的實施方式對處理室內進行加熱的情況下的底部區域的溫度分布的圖。

圖8是表示通過以往例對處理室內進行加熱的情況下的底部區域的溫度分布的圖。

圖9是表示通過本發明的實施方式和以往例對處理室內進行加熱的情況下的晶片溫度和面內溫度差的圖。