[發(fā)明專利]一種半導體器件及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910239686.2
• 申請日: 2019-03-27
• 公開（公告）號: CN111755515A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 上海德禾翰通律師事務所 31319
• 代理人: 侯莉

1.一種半導體器件的形成方法，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底上形成有去除部分厚度的鰭部后形成的第一子鰭部；

對所述第一子鰭部遠離所述襯底的一端進行調整，使得S1≥S2，其中，S1為所述第一子鰭部的所述一端的端面的中間區(qū)域到所述襯底的距離，S2為所述第一子鰭部的所述端面的邊緣區(qū)域到所述襯底的距離；并且

在垂直于所述第一子鰭部的長度方向形成的截面中，所述第一子鰭部遠離所述襯底一側的輪廓線呈平滑過渡。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，對所述第一子鰭部遠離所述襯底的一端進行調整后，還包括：對所述端面進行光滑工藝處理。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，對所述第一子鰭部遠離所述襯底的一端進行調整，包括：

對所述第一子鰭部的所述一端進行離子束刻蝕工藝，和/或，對所述第一子鰭部的所述一端進行沉積工藝；

使所述端面呈平面或呈凸出于遠離所述襯底一側的弧面。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一子鰭部，包括：

在所述襯底上形成有第一鰭部；

刻蝕去除部分厚度的所述第一鰭部，形成刻蝕凹槽，將所述刻蝕凹槽與所述襯底之間的鰭部作為所述第一子鰭部。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，對所述第一子鰭部遠離所述襯底的一端進行調整之前，還包括：在所述刻蝕凹槽的側壁沉積犧牲層。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述襯底上還形成有第二鰭部，在所述刻蝕凹槽的側壁沉積犧牲層時，還包括：在所述第二鰭部的周側沉積犧牲層。

7.根據權利要求3所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，對所述第一子鰭部遠離所述襯底的一端進行調整之后，還包括：對所述第一子鰭部進行閾值電壓調節(jié)離子注入。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，對所述第一子鰭部進行閾值電壓調節(jié)離子注入后，還包括：對所述第一子鰭部進行退火處理；和/或

采用濕法清洗清洗所述第一子鰭部，以使所述第一子鰭部的所述端面光滑。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述離子束刻蝕工藝中的離子包括惰性離子、氫離子、硼離子中的至少一種；

所述閾值電壓調節(jié)離子包括Ⅲ族離子和/或Ⅴ族離子。

10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件基于權利要求1-9任意一項所述的半導體器件的形成方法形成。