[發明專利]一種顯示屏及其形成方法

在審

• 申請號: 201910239383.0
• 申請日: 2019-03-27
• 公開（公告）號: CN111756877A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 楊軒;孫伯彰
• 申請（專利權）人: 陜西坤同半導體科技有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 鄭裕涵

1.一種顯示屏，具有識別物體的功能，其特征在于，所述顯示屏包括：

顯示屏本體，包括多個像素單元，所述多個像素單元呈陣列式設置于所述顯示屏本體上；

至少一個不可見光發射器，對應設置于所述多個像素單元中的至少一個像素單元，所述不可見光發射器用于發射不可見光；以及

至少一個紅外電荷耦合器件接收模塊，對應設置于所述多個像素單元中的至少一個像素單元，并與所述顯示屏本體電性連接，當所述不可見光接觸所述物體后，所述不可見光返回，所述紅外電荷耦合器件接收模塊接收返回的所述不可見光，并向發送一訊號，控制所述顯示屏本體顯示畫面；

其中，所述訊號為所述不可見光的飛行時間，所述畫面是所述顯示屏本體根據所述訊號判斷所述物體表面的凹凸性而建立的所述物體的三維模型。

2.根據權利要求1所述的顯示屏，其特征在于，所述顯示屏本體還包括：

基板；以及

薄膜場效應晶體管，設置于所述基板上，所述多個像素單元、所述至少一個不可見光發射器和所述至少一個紅外電荷耦合器件接收模塊設置于所述薄膜場效應晶體管上。

3.根據權利要求2所述的顯示屏，其特征在于，所述薄膜場效應晶體管還包括頂柵型薄膜場效應晶體管和背柵型薄膜場效應晶體管，所述頂柵型薄膜場效應晶體管與所述多個像素單元電性連接，所述頂柵型薄膜場效應晶體管用于控制所述多個像素單元，所述背柵型薄膜場效應晶體管與所述至少一個不可見光發射器及所述至少一個紅外電荷耦合器件接收模塊連接，所述背柵型薄膜場效應晶體管用于控制所述至少一個不可見光發射器及所述至少一個紅外電荷耦合器件接收模塊。

4.根據權利要求3所述的顯示屏，其特征在于，所述頂柵型薄膜場效應晶體管還包括：

多晶硅層，設置于所述基板上；

柵極絕緣層，設置于所述多晶硅層上；以及

第一金屬層，設置于所述柵極絕緣層上。

5.根據權利要求4所述的顯示屏，其特征在于，所述背柵型薄膜場效應晶體管還包括：

絕緣層，設置于所述第一金屬層上；以及

氧化物半導體層，設置于所述絕緣層上，所述第一金屬層與所述氧化物半導體層形成所述背柵型薄膜場效應晶體管。

6.根據權利要求5所述的顯示屏，其特征在于，還包括第二金屬層，設置于所述氧化物半導體層上，所述第二金屬層用于所述頂柵型薄膜場效應晶體管與所述多個像素單元的連接，及所述背柵型薄膜場效應晶體管與所述至少一個不可見光發射器及所述至少一個紅外電荷耦合器件接收模塊的連接。

7.根據權利要求1所述的顯示屏，其特征在于，各個所述像素單元還包括紅色子像素、藍色子像素和綠色子像素，所述紅色子像素、所述藍色子像素和所述綠色子像素呈直角三角形式設置。

8.根據權利要求1所述的顯示屏，其特征在于，所述紅外電荷耦合器件接收模塊為單色相機。

9.一種顯示屏的形成方法，其特征在于，所述顯示屏的形成方法包括以下步驟：

形成顯示屏本體，所述顯示屏本體包括多個像素單元；

將至少一個不可見光發射器集成于所述多個像素單元中的至少一個像素單元內；以及

將至少一個紅外電荷耦合器件接收模塊集成于所述多個像素單元中的至少一個像素單元內。

10.根據權利要求9所述的顯示屏的形成方法，其特征在于，所述形成顯示屏本體的步驟還包括：

形成基板；

于所述基板上形成多晶硅層；

于所述多晶硅層上形成柵極絕緣層；

于所述柵極絕緣層上形成第一金屬層，所述第一金屬層與所述多晶硅層形成頂柵型薄膜場效應晶體管；

于所述第一金屬層上形成絕緣層；

于所述絕緣層上形成氧化物半導體層，所述氧化物半導體層與所述第一金屬層形成背柵型薄膜場效應晶體管；

于所述氧化物半導體層形成第二金屬層；以及

于所述第二金屬層上形成多個像素單元；

其中，所述多個像素單元通過所述第二金屬層與所述頂柵型薄膜場效應晶體管連接，所述至少一個不可見光發射器及至少一個紅外電荷耦合器件接收模塊通過所述第二金屬層與所述背柵型薄膜場效應晶體管連接。