[發明專利]具有到達鄰近發射器間共享的歐姆金屬層的共享過孔的發射器陣列

在審

• 申請號: 201910238980.1
• 申請日: 2019-03-27
• 公開（公告）號: CN110323669A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: A.袁;A.V.巴威
• 申請（專利權）人: 朗美通經營有限責任公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/42
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賀紫秋

1.一組垂直腔表面發射激光器陣列，即VCSEL陣列，包括：

多個VCSEL，包括兩個鄰近VCSEL；

歐姆金屬層，與多個VCSEL關聯；和

保護層，在歐姆金屬層上方，

其中保護層包括到達歐姆金屬層的過孔，

其中過孔在多個VCSEL中的兩個鄰近VCSEL之間共享。

2.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中過孔位于兩個VCSEL附近的空隙區域中。

3.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中歐姆金屬層包括具有相應過孔的分離部分，

其中過孔對應于分離部分中之一。

4.如權利要求3所述的VCSEL陣列，其中分離部分位于多個VCSEL中的鄰近VCSEL之間的相應空隙區域中。

其中分離部分中之一位于兩個鄰近VCSEL之間。

5.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中歐姆金屬層包括在兩個鄰近VCSEL的相應孔之間延伸的部分。

6.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中過孔徑向地定位于被兩個鄰近VCSEL共享的一對溝槽之間。

7.如權利要求1所述的VCSEL陣列，其中兩個鄰近VCSEL中之一的孔與過孔之間的徑向距離小于該孔與兩個鄰近VCSEL間的溝槽之間的另一徑向距離。

8.一種發射器陣列，包括：

多個發射器，包括兩個鄰近發射器；

歐姆金屬層，與多個發射器關聯，

其中歐姆金屬層包括被兩個鄰近發射器共享且定位在這兩個鄰近發射器之間的部分；

保護層，在歐姆金屬層的上方；和

過孔，穿過保護層到達所述部分，

其中過孔被兩個鄰近發射器共享且定位在這兩個鄰近發射器之間。

9.如權利要求8所述的發射器陣列，其中過孔定位在兩個鄰近發射器之間的空隙區域中。

10.如權利要求8所述的發射器陣列，其中歐姆金屬層包括與所述部分分離的一個或多個其他部分。

其中所述一個或多個其他部分與相應過孔關聯，

其中所述一個或多個其他部分與發射器陣列中的在兩個鄰近發射器中之一附近的其他發射器關聯。

11.如權利要求10所述的發射器陣列，其中歐姆金屬層包括與兩個鄰近發射器中之一關聯的另一部分，

其中所述另一部分將所述部分和一個或多個其他部分彼此電連接。

12.如權利要求8所述的發射器陣列，其中過孔和所述部分徑向地定位在兩個鄰近發射器間的兩個鄰近溝槽之間。

13.如權利要求8所述的發射器陣列，其中所述部分將兩個鄰近發射器的相應孔電連接。

14.如權利要求8所述的發射器陣列，其中兩個鄰近發射器中之一的孔與過孔之間的徑向距離小于所述孔與兩個鄰近發射器間的溝槽之間的徑向距離。

15.一種形成激光器陣列的方法，包括：

在基板上或中形成兩個鄰近激光器；

與形成兩個鄰近激光器相關聯地形成歐姆金屬層，包括形成歐姆金屬層的一部分，該部分被兩個鄰近激光器共享且處于這兩個鄰近激光器之間的位置；

與形成歐姆金屬層相關聯地在激光器陣列上方形成保護層；和

與形成保護層相關聯地形成穿過保護層到達歐姆金屬層的過孔。

16.如權利要求15所述的方法，其中形成過孔包括：

在所述部分上方形成過孔且使得過孔在鄰近激光器之間共享。