[發(fā)明專利]修整圖形的方法、介質(zhì)、服務(wù)器及光學(xué)掩模的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910238963.8
• 申請(qǐng)日: 2019-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110068986B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李陽(yáng);李金鑫;姜鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G03F1/36
• 分類號(hào): G03F1/36;G03F1/84
• 代理公司: 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

本發(fā)明提供一種修整圖形的方法、介質(zhì)、服務(wù)器及光學(xué)掩模的制造方法，所述修整圖形的方法包括：利用化學(xué)機(jī)械拋光模型模擬晶圓的表面形貌，獲得形貌圖，所述形貌圖體現(xiàn)了晶圓表面的高低；對(duì)晶圓表面不符合預(yù)設(shè)高度的區(qū)域進(jìn)行標(biāo)記，獲得階高標(biāo)記層信息；根據(jù)所述階高標(biāo)記層信息建立對(duì)應(yīng)的景深模型；利用所述景深模型對(duì)待修整的圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近校正處理。本發(fā)明所述的修正圖形的方法能夠檢測(cè)出晶圓表面的不平坦區(qū)域上的熱點(diǎn)問(wèn)題，并且通過(guò)圖形校正優(yōu)化修正該問(wèn)題造成的不良影響，提高器件的良品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種修整圖形的方法、介質(zhì)、服務(wù)器及光學(xué)掩模的制造方法。

背景技術(shù)

光學(xué)鄰近校正(Optical Proximity Correction，OPC)是一種光刻增強(qiáng)技術(shù)，影響造成的圖像錯(cuò)誤。光學(xué)鄰近校正主要在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過(guò)程中使用，目的是為了保證生產(chǎn)過(guò)程中設(shè)計(jì)的圖形的邊緣得到完整的刻蝕。若投影圖像出現(xiàn)違規(guī)行為，如線寬度比設(shè)計(jì)窄或?qū)挘伎梢酝ㄟ^(guò)改變掩模版來(lái)補(bǔ)償成像。其他的失真，如圓角，受光學(xué)工具分辨率的制約，更加難以彌補(bǔ)。這些失真如果不糾正，可能大大改變生產(chǎn)出來(lái)的電路的電氣性能。光學(xué)鄰近校正通過(guò)移動(dòng)掩模版上圖形的邊緣或添加額外的多邊形來(lái)糾正這些錯(cuò)誤。光學(xué)鄰近校正的目標(biāo)是盡可能的使硅片上生產(chǎn)出的電路與掩膜板設(shè)計(jì)的電路一致。

現(xiàn)有的光學(xué)鄰近校正的模擬和修正均是基于平坦晶圓的數(shù)據(jù)，沒(méi)有考慮晶圓的真實(shí)形貌情況，導(dǎo)致制備的器件良率低。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種修整圖形的方法、介質(zhì)、服務(wù)器及光學(xué)掩模的制造方法，用于解決現(xiàn)有光學(xué)鄰近校正的模擬或/和修正沒(méi)有考慮晶圓的真實(shí)形形貌影響器件良品率的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種修整圖形的方法，所述方法包括：利用化學(xué)機(jī)械拋光模型模擬晶圓的表面形貌，獲得形貌圖，所述形貌圖體現(xiàn)了晶圓表面的高低；對(duì)晶圓表面不符合預(yù)設(shè)高度的區(qū)域進(jìn)行標(biāo)記，獲得階高標(biāo)記層信息；根據(jù)所述階高標(biāo)記層信息建立對(duì)應(yīng)的景深模型；利用所述景深模型對(duì)待修整的圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近校正處理。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述對(duì)晶圓表面不符合預(yù)設(shè)高度的區(qū)域進(jìn)行標(biāo)記，獲得階高標(biāo)記層信息的一種實(shí)現(xiàn)過(guò)程包括：根據(jù)所述晶圓表面的高度將晶圓表面劃分成不同的區(qū)域，相鄰區(qū)域的高度不同；符合預(yù)設(shè)高度的區(qū)域?yàn)榉切拚麉^(qū)，不符合預(yù)設(shè)高度的區(qū)域?yàn)榇拚麉^(qū)；利用GDS標(biāo)記層方式對(duì)各所述待修整區(qū)進(jìn)行標(biāo)記，獲得對(duì)應(yīng)區(qū)域的階高標(biāo)記層信息；高度相同的待修整區(qū)域獲得相同的階高標(biāo)記層信息。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，根據(jù)所述晶圓表面的高度將晶圓表面劃分成不同的區(qū)域的一種實(shí)現(xiàn)方法包括：根據(jù)所述晶圓表面的高低差將晶圓表面劃分成不同的區(qū)域；劃分方式包括：所述高低差符合預(yù)設(shè)劃分范圍或符合預(yù)設(shè)劃分值。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，根據(jù)所述階高標(biāo)記層信息建立對(duì)應(yīng)的景深模型的一種實(shí)現(xiàn)過(guò)程包括：根據(jù)所述階高標(biāo)記層信息獲得對(duì)應(yīng)該階高的焦距，建立對(duì)應(yīng)焦距下的光學(xué)模型，即所述景深模型；所述景深模型的焦距與對(duì)應(yīng)的階高匹配；所述階高即為高低差。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，利用所述景深模型對(duì)圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近校正處理的一種實(shí)現(xiàn)過(guò)程包括：根據(jù)晶圓表面的區(qū)域劃分，選取與各區(qū)域匹配的景深模型仿真對(duì)應(yīng)區(qū)域內(nèi)的曝光圖形；將所述曝光后的圖形與掩膜板設(shè)計(jì)圖形進(jìn)行對(duì)比，獲得邊緣誤差；判斷所述邊緣誤差是否符合預(yù)設(shè)范圍；若是則完成修整；否則，移動(dòng)所述曝光后的圖形的邊緣位置，繼續(xù)與掩膜板設(shè)計(jì)圖形進(jìn)行對(duì)比，直至邊緣誤差符合預(yù)設(shè)范圍。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述修整圖形的方法還包括：對(duì)所述光學(xué)鄰近校正處理后的圖形進(jìn)行光學(xué)規(guī)則檢查處理。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述修整圖形的方法還包括：基于預(yù)設(shè)信息生成所述化學(xué)機(jī)械拋光模型；所述預(yù)設(shè)信息包括晶圓相關(guān)信息和工藝相關(guān)信息；所述晶圓相關(guān)信息包括：光刻時(shí)所需晶圓的圖形尺寸及其誤差范圍，化學(xué)機(jī)械拋光后晶圓表面的高度及其誤差范圍；所述工藝相關(guān)信息包括：光刻時(shí)要求的景深大小和曝光時(shí)圖形的壞點(diǎn)。