[發(fā)明專利]基于人工表面等離子體的電磁干擾輻射抑制結(jié)構(gòu)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910238749.2
• 申請日: 2019-03-27
• 公開（公告）號: CN110060981A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李爾平;張友飛;李天武
• 申請（專利權(quán)）人: 海寧利伊電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/60;H05K9/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 林超

1.一種基于人工表面等離子體的EMI輻射抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于：整個抑制結(jié)構(gòu)分為位于上層的金屬層P和位于下層的有耗介質(zhì)層D，金屬層P印刷在有耗介質(zhì)層D上表面，金屬層P主要由四個人工表面等離子體單元沿周向均布排列構(gòu)成；每個人工表面等離子體單元由13個的“十”字形結(jié)構(gòu)依次串接組合而成，每個“十”字形結(jié)構(gòu)包括短金屬條和長金屬條，短金屬條和長金屬條的中點相交并垂直布置；13個的“十”字形結(jié)構(gòu)的短金屬條沿同一直線依次連接成同一金屬條，13個的“十”字形結(jié)構(gòu)的長金屬條相平行，13個的“十”字形結(jié)構(gòu)從中間至兩邊的長金屬條的長度h逐漸增加且兩邊以中間呈對稱分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工表面等離子體的EMI輻射抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于：短金屬條連接構(gòu)成的金屬條垂直于有耗介質(zhì)層D中心向外的徑向方向。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工表面等離子體的EMI輻射抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的短金屬條的長度小于長金屬條的長度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工表面等離子體的EMI輻射抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述有耗介質(zhì)層D采用FR4板材，介電常數(shù)為4.4，介質(zhì)損耗角的正切值為0.02。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工表面等離子體的EMI輻射抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述抑制結(jié)構(gòu)的抑制工作頻段為8.4GHz–12GHz。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一所述的一種基于人工表面等離子體的EMI輻射抑制結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，其特征在于：應(yīng)用于芯片封裝和EMI輻射抑制。