[發明專利]發光裝置在審
| 申請號: | 201910238059.7 | 申請日: | 2019-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN110660820A | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發明(設計)人: | 高民求;郭重熙;柳榮浩;梁成錫;李相奭;蔡昇完 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 趙南;張帆 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光結構 互連層 襯底 矩陣形式布置 發光裝置 延伸 | ||
發光裝置包括:襯底,其在第一方向和第二方向上延伸;第一發光結構至第四發光結構,其在第一方向和第二方向上彼此間隔開并且以矩陣形式布置在襯底上;多個第一互連層結構,其將第一發光結構連接至第二發光結構;第二互連層結構,其將第二發光結構連接至第三發光結構;以及多個第三互連層結構,其將第三發光結構連接至第四發光結構。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2018年6月29日在韓國知識產權局提交的韓國 專利申請No.10-2018-0075851的優先權的權益,其公開內容以引用 的方式整體合并于此。
技術領域
本公開涉及發光裝置,更具體地,涉及包括串聯連接的多個發光 二極管(LED)的發光裝置。
背景技術
由于LED具有低功耗和高亮度的優點,LED廣泛用作光源。具體 地,近來,半導體發光裝置已被用作在照明裝置和大型液晶顯示器 (LCD)中使用的背光源裝置。
為了提高發光裝置的能量效率,可以采用將多個LED芯片彼此 串聯連接的方法。在這種情況下,當每一個都包括一個LED的各個芯 片串聯連接時,分別需要額外的工藝,例如襯底分離工藝、封裝工藝、 安裝工藝和布線工藝。因此,出現了工藝所需時間增加和制造成本增 加的問題。提出了一種發光裝置,其包括制造成以晶圓級串聯連接的 多個LED。
發明內容
本公開描述了一種發光裝置,其可以表現出改善的可靠性或其 他改善的特性,并且還可以改善現有發光裝置的某些缺點。
根據本發明的一方面,提供了一種發光裝置,包括襯底,其在 第一方向和第二方向上延伸;第一發光結構至第四發光結構,其在第 一方向和第二方向上彼此間隔開,并且在所述襯底上以矩陣形式布置; 多個第一互連層結構,其將所述第一發光結構連接至所述第二發光結 構;第二互連層結構,其將所述第二發光結構連接至所述第三發光結 構;以及多個第三互連層結構,其將所述第三發光結構連接至所述第 四發光結構。
根據本發明構思的一方面,其可以包括上述各個方面,提供了 一種發光裝置,包括:第一發光結構和第二發光結構,它們中的每一 個包括第一導電氮化物半導體層、布置在所述第一導電氮化物半導體 層上方的有源層以及布置在所述有源層上方的第二導電氮化物半導 體層,所述第一發光結構和所述第二發光結構彼此水平地間隔開;以 及互連層,其將所述第一發光結構的第一導電氮化物半導體層連接至 所述第二發光結構的第二導電氮化物半導體層,其中,所述第二互連 層是包括兩個部分的導電層,所述兩個部分連接至所述第一發光結構 的第一導電氮化物半導體層和所述第二發光結構的第二導電氮化物半導體層中的每一個的至少兩個相應部分。
根據本發明的另一方面,提供了一種發光裝置,包括襯底,其 在第一方向和第二方向上延伸;第一發光結構至第四發光結構,其在 第一方向和第二方向上彼此間隔開,并且在所述襯底上以矩陣形式布 置;多個第一電極,其連接至所述第一發光結構;以及多個第二電極, 其連接至所述第二發光結構;其中,所述第一發光結構至所述第四發 光結構中的每一個包括第一導電氮化物半導體層、布置在所述第一導 電氮化物半導體層上方的有源層以及布置在所述有源層上方的第二 導電氮化物半導體層,并且所述多個第一電極和所述多個第二電極中 的每一個的水平寬度小于所述第一發光結構至所述第四發光結構中的任意一個的第二導電氮化物半導體層的水平寬度。
附圖說明
通過以下參考附圖的詳細說明,將更加清晰地理解本發明構思 的實施例,在附圖中:
圖1是根據示例實施例的發光裝置的電路圖;
圖2A是根據示例實施例的發光裝置的布局圖;
圖2B是沿圖2A的線2I-2I'截取的示例性截面圖;
圖2C是沿圖2A的線2II-2II'截取的示例性截面圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





