[發明專利]基于肖特基結的高靈敏度光強起伏探測器

在審

• 申請號: 201910236831.1
• 申請日: 2019-03-27
• 公開（公告）號: CN111750987A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 呂惠賓;郭爾佳;何萌;金奎娟;楊國楨
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: G01J1/44
• 分類號: G01J1/44;H01L31/108
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;李科

1.一種光強起伏探測器，包括：由半導體襯底材料和透光的金屬特性材料構成的肖特基結吸收體、設置在所述半導體襯底材料表面的電極、連接在所述電極和所述金屬特性材料的表面之間的可調電源、以及連接在所述電極和所述金屬特性材料的表面之間的測壓部件，所述可調電源用于給所述肖特基結吸收體提供反向電流，所述測壓部件用于監測所述肖特基結吸收體兩端之間的電壓。

2.根據權利要求1所述的光強起伏探測器，其中，所述電極和所述金屬特性材料的表面分別通過輸出引線連接至所述測壓部件的兩端。

3.根據權利要求1或2所述的光強起伏探測器，其中，所述金屬特性材料為TiN、ITO或石墨烯。

4.根據權利要求1或2所述的光強起伏探測器，其中，所述半導體襯底材料為p型半導體或n型半導體。

5.根據權利要求1或2所述的光強起伏探測器，其中，所述電極采用金、鉑、銀、鋁、銅、合金、石墨、銦錫氧化物、釕酸鍶或石墨烯。

6.根據權利要求1或2所述的光強起伏探測器，其中，所述可調電源為可調電流的恒流源。

7.根據權利要求1或2所述的光強起伏探測器，其中，所述可調電源包括可變電阻和可調直流穩壓電源。

8.一種光強起伏探測方法，包括如下步驟：

調零步驟：用探測光輻照肖特基結吸收體的透光的金屬特性材料表面，調節提供給所述肖特基結吸收體的反向電流，使所述肖特基結吸收體兩端的電壓為0；以及

探測步驟：探測所述肖特基結吸收體兩端的電壓變化，從而得到所述探測光的光強變化。

9.根據權利要求8所述的光強起伏探測方法，其中，所述電壓變化正比于所述探測光的光強變化。

10.一種光強穩定裝置，其包括根據權利要求1-7中任一項所述的光強起伏探測器。