[發(fā)明專利]模擬不同酸堿環(huán)境下硫化硅橡膠耐漏電起痕的方法

有效

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• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN109917244B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巢亞鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 國網(wǎng)湖南省電力有限公司;國網(wǎng)湖南省電力有限公司電力科學(xué)研究院;國家電網(wǎng)有限公司
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12
• 代理公司: 長沙市融智專利事務(wù)所(普通合伙) 43114
• 代理人: 顏勇

本發(fā)明公開了一種模擬不同酸堿環(huán)境下硫化硅橡膠耐漏電起痕的方法，根據(jù)PH值，在污染液中添加的對應(yīng)量的酸或堿；將添加有酸或堿的污染液注入儲存罐中并密封保存；將樣片傾斜安裝在絕緣機(jī)架上，并在樣片的上端、中端和下端朝向樣片傾斜方向分別設(shè)置上電極、中電極和下電極，將上電極、下電極通過導(dǎo)線接地，中電極通過導(dǎo)線接高壓電源；將儲存罐通過輸送管連接至滴液針頭，滴液針頭的輸出端正對上電極前端半圓形受液孔，使得污染液滴落后剛好落于上電極前端半圓形受液孔中，其流速控制在上一滴從上電極前端半圓形受液孔流淌至下電極時，下一滴剛好滴落至上電極；當(dāng)污染液在兩電極間穩(wěn)定流下時，合上電源開關(guān)，施加電壓，進(jìn)行漏電起痕試驗(yàn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電力工程技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種模擬不同酸堿環(huán)境下硫化硅橡膠耐漏電起痕的方法。

背景技術(shù)

硫化硅橡膠材料在電力系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用，為檢測其性能，需對其進(jìn)行耐漏電起痕試驗(yàn)。GBT 6553中對硫化硅橡膠材料耐漏電起痕試驗(yàn)推薦了方法，該方法樣片與水平方向呈45°夾角，電極和污染液通道都在樣片的背面，即靠近水平面的一方，通過八層濾紙夾在上電極與樣片之間儲集污染液，通過管子將污染液滴注入濾紙襯墊中、或以固定的液滴大小和每分鐘一定的數(shù)量將污染液滴入襯墊中，使污染液在上下電極之間形成均勻的液流，上電極帶電、下電極接地，該方法需要對樣片打孔，且需要經(jīng)常檢查和更換濾紙，增加操作的復(fù)雜性。

中國專利201510569899公開了一種復(fù)合絕緣材料耐漏電起痕及電蝕損性能判定方法，能夠?qū)μ厥馕鄯x條件下運(yùn)行的硅橡膠復(fù)合絕緣材料耐漏電起痕及電蝕損性能進(jìn)行判定和甄選。但是上述專利僅研究了污穢條件下對復(fù)合絕緣材料表面沿面放電產(chǎn)生的影響。

發(fā)明內(nèi)容

本申請旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種模擬不同酸堿環(huán)境下硫化硅橡膠耐漏電起痕的方法。該方法不僅可以使得不同酸堿環(huán)境耐漏電起痕結(jié)果更為準(zhǔn)確，而且操作更為簡單。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用如下技術(shù)方案：

一種模擬不同酸堿環(huán)境下硫化硅橡膠耐漏電起痕的方法，流程如下：

1)確定所要模擬環(huán)境的降水pH值以及主要陰離子含量，以陰離子含量最大的記為模擬降水的陰離子，采用向GBT6553中推薦方法配置好的污染液中加入上述陰離子對應(yīng)酸或堿的方式模擬降水pH值，計(jì)算得到污染液所需要添加的酸或堿量；

2)將添加有酸或堿的污染液注入儲存罐中并密封保存；

3)取若干樣片在同條件下開展恒壓耐受試驗(yàn)，將樣片傾斜安裝在絕緣機(jī)架上，樣片與水平面呈θ夾角，并在樣片的上端、中端和下端朝向樣片傾斜方向分別設(shè)置上電極、中電極和下電極，將上電極、下電極通過導(dǎo)線接地，中電極通過導(dǎo)線接高壓電源，上電極、中電極和下電極與樣片上表面緊密貼合；

4)將儲存罐通過輸送管連接至滴液針頭，滴液針頭的輸出端正對上電極前端半圓形受液孔；

5)調(diào)節(jié)輸送管上的流量調(diào)節(jié)器，使得具有一定pH值和電導(dǎo)率的污染液從滴液針頭滴落后剛好落于上電極前端半圓形受液孔中，其流速控制在上一滴從上電極前端半圓形受液孔流淌穿過中電極左右極針夾縫至下電極時，下一滴剛好滴落至上電極；

6)污染液從上電極穩(wěn)定流下且流速達(dá)到試驗(yàn)要求時，合上電源開關(guān)，施加設(shè)定時間的電壓；

7)恒壓耐受試驗(yàn)結(jié)束后，取下樣片測量漏電起痕長度S和電蝕深度V，漏電起痕長度S為樣片表面上電極與下電極之間明顯電弧燒蝕痕跡長度之和，電蝕深度V為電蝕坑最深處的蝕損深度；采用游標(biāo)卡尺測量中電極與上電極的漏電起痕長度S1、中電極與下電極的漏電起痕長度S2，得到S＝S1+S2；目測獲知電蝕坑最深的位置，采用刀片過電蝕坑最深位置橫向切片，得到電蝕坑最深位置的橫截面，采用游標(biāo)卡尺測量電蝕深度V；

若S≥40mm或V≥1mm，則判斷該樣片在模擬具有一定pH環(huán)境下耐漏電起痕試驗(yàn)不合格；