[發明專利]一種測試薄膜絕緣材料介電強度的沖擊電壓發生裝置

在審

• 申請號: 201910235055.3
• 申請日: 2019-03-27
• 公開（公告）號: CN109873572A
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 姚遠航;聶洪巖
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: H02M9/04
• 分類號: H02M9/04;G01R31/12
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 楊樂

一種測試薄膜絕緣材料介電強度的沖擊電壓發生裝置，屬于高壓設備領域。本發明包括變壓器、整流電路、初級電路、若干次級電路、零級電路和電極裝置，變壓器經整流電路后具有初級高壓輸出端和初級低壓輸出端，初級電路包括第一電容和保護電阻組件，第一電容兩端分別接初級高壓輸出端和初級低壓輸出端，保護電阻組件串接初級高壓輸出端和第一電容之間，保護電阻組件包括若干串聯連接的電阻單元，電阻單元包括若干并聯連接的保護電阻；本發明解決了現有技術中的沖擊電壓發生裝置無法滿足薄膜絕緣材料在沖擊電壓下的介電強度試驗要求的問題，測量結果準確性高，占地面積小，測試方便。

技術領域

一種沖擊電壓發生裝置，屬于高壓設備領域，具體涉及一種測試薄膜絕緣材料介電強度的沖擊電壓發生裝置。

背景技術

沖擊電壓發生裝置可以產生雷電沖擊電壓和操作沖擊電壓，可供電力設備的沖擊介電強度試驗用，檢驗電力設備或絕緣結構的絕緣性能。沖擊電壓發生裝置的原理是多級電容并聯充電，然后通過電容間各球隙擊穿使并聯的電容變成串聯放電，來得到沖擊電壓。在試品上會形成陡峭的上升沿波形，持續時間一般是微秒等級，分為波頭時間和波尾時間。

目前，在進行沖擊電壓下的介電強度試驗時，采用的沖擊電壓發生裝置的電壓等級一般在1000kV以上，并且體積龐大。然而，在研究絕緣材料在沖擊電壓下的介電強度時，尤其是針對薄膜絕緣材料進行介電強度測試時，因薄膜材料的擊穿電壓較低，一般只有十幾千伏，使用普通類型的沖擊電壓發生裝置對薄膜試驗樣品進行介電強度試驗，并不能達到良好的測試效果，會造成試驗結果準確性偏低。此外，普通類型的沖擊電壓發生裝置體積龐大，占地面積廣，移動困難，安裝過程復雜等都對薄膜絕緣材料的介電強度試驗帶來極不便的影響，嚴重影響試驗的進度與效率。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本申請提出了一種測試薄膜絕緣材料介電強度的沖擊電壓發生裝置，滿足薄膜絕緣材料在沖擊電壓下的介電強度試驗要求，且測量結果準確性高，占地面積小，測試方便。

本申請的一種測試薄膜絕緣材料介電強度的沖擊電壓發生裝置，包括變壓器、整流電路、初級電路、若干次級電路、零級電路和電極裝置，變壓器經整流電路后具有初級高壓輸出端和初級低壓輸出端，所述初級電路包括第一電容和保護電阻組件，第一電容兩端分別接初級高壓輸出端和初級低壓輸出端，保護電阻組件串接初級高壓輸出端和第一電容之間，所述保護電阻組件包括若干串聯連接的電阻單元，電阻單元包括若干并聯連接的保護電阻。

進一步的，所述電阻單元中的保護電阻的個數相同。

進一步的，所述次級電路具有次級高壓輸出端和次級低壓輸出端，次級電路包括第二電容和充電電阻，第二電容兩端連接次級高壓輸出端和次級電壓輸出端，充電電阻串接在次級高壓輸出端和第二電容之間。

進一步的，所述保護電阻組件的阻值與充電電阻的比值大于等于10。

進一步的，所述電極裝置包括第一平板電極和第二平板電極。

進一步的，所述第一平板電極和第二平板電極的邊緣均有45°倒角。

進一步的，所述初級電路包括點火球隙，點火球隙串接在初級高壓輸出端和初級低壓輸出端之間，點火球隙包括點火裝置、半球形結構和內部中空的球形結構，球形結構內部安裝有放電針，點火裝置連接放電針，半球形結構通過伸縮結構調節半球形結構與球形結構之間的距離。

進一步的，所述次級電路包括中間球隙，中間球隙串接在次級高壓輸出端和次級低壓輸出端之間，所述中間球隙包括第一半球結構和第二半球結構，第一半球結構安裝在第一伸縮結構上，第二半球結構安裝在第二伸縮結構上。

本發明與現有技術相比，具有如下有益效果：

因此，需要設計一種符合薄膜絕緣材料測試要求，沖擊電壓等級低，占地面積小，移動方便，便于測試的沖擊電壓發生裝置。

附圖說明