[發明專利]集成器件表面原子級光滑電連接薄片及其制備方法

有效

• 申請號: 201910234423.2
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN111755338B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 鄭泉水;黃軒宇
• 申請（專利權）人: 深圳清力技術有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/49;H01L23/498;B82Y40/00
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 陳超

1.一種集成器件表面原子級光滑電連接薄片的制備方法，其特征在于：所述電連接薄片包括形成在超滑薄片(2)上的電連接結構，其制備方法包括：

步驟一、在基底(1)表面形成原子級平整表面的超滑薄片(2)，所述基底(1)的上表面為光滑平面，所述超滑薄片(2)具有與基底(1)接觸的第一表面和背離基底(1)的第二表面，所述超滑薄片(2)的第一表面為超滑面；

步驟二、在所述超滑薄片(2)的所述第二表面上涂敷光刻膠(3)，構圖所述光刻膠(3)形成開口，露出所述超滑薄片(2)的部分所述第二表面；

步驟三、在整個表面上形成導電的電連接層(4)，所述電連接層(4)填入光刻膠(3)的構圖開口中，并形成在所述超滑薄片(2)的所述第二表面上；

步驟四、采用剝離步驟，去除光刻膠(3)及其上的所述電連接層(4)；

步驟五、用樹脂覆蓋層(5)包覆超滑薄片(2)及其上的所述電連接層(4)；

步驟六、去除基底(1)，露出所述超滑薄片(2)的第一表面，形成具有所述電連接層(4)的超滑薄片(2)。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述基底(1)的材料包括Si、SiC、SOI、藍寶石、云母、石墨烯、二硫化鉬之一或其組合。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述超滑薄片(2)材料為片狀類金剛石、片狀單晶石墨或片狀單晶二硫化鉬。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述超滑薄片(2)的材料包括SiO₂、Si₃N₄、SiNO之一或上述材料組成的疊層結構。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述電連接層(4)為Ni、Au、Ag、銅石墨烯復合材料之一或其組合。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于：所述電連接層(4)的厚度為10-150nm。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述電連接層(4)的厚度為20-50nm。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：還包括去除所述樹脂覆蓋層(5)。

9.如權利要求1-8中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述超滑面是原子級光滑的二維材料，所述超滑面的直徑為1μm～100μm，所述超滑薄片(2)厚度為100nm～10μm。

10.一種集成器件表面原子級光滑電連接薄片，所述電連接薄片包括基底(1)和形成在基底(1)上的超滑薄片(2)，多個電連接結構間隔地形成在所述超滑薄片(2)上，所述基底(1)最終需去除，以露出超滑薄片(2)的原子級光滑表面，所述電連接薄片包括形成在超滑薄片(2)上的電連接結構，其特征在于：所述原子級光滑電連接薄片由上述權利要求1-9任一方法制備得到的。