[發明專利]一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法

在審

• 申請號: 201910232023.8
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN109941961A
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 孫堂友;曹樂;李海鷗;傅濤;劉興鵬;陳永和;肖功利;李琦;張法碧;李躍
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 石燕妮

1.一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，所述薄膜的制備采用滾筒壓印技術，包括以下步驟：

S1：制備滾筒壓印模板；

S2：對S1步驟中的滾筒壓印模板進行防粘處理；

S3：采用經過S2步驟處理的滾筒壓印模板對聚合物薄膜進行壓印后得到具有微納米結構的多功能薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，所述S3步驟制備得到的多功能薄膜表面具有凸狀微納米復合結構，所述凸狀微納米復合結構具有50nm～400nm的表面起伏。

3.根據權利要求1所述的一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，所述S3步驟中的聚合物薄膜為熱塑型聚合物薄膜或紫外固化型聚合物薄膜。

4.根據權利要求1所述的一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，所述S1步驟具體為：將鋁基置于0.1～0.5mol/L的草酸溶液中進行第一次陽極氧化后，用6wt％H₃PO₄+1.8wt％H₂CrO₄混合水溶液去除氧化層，然后進行第二次陽極氧化，最后置于40℃～60℃的5wt％H₃PO₄溶液中，進行擴孔處理40s，取出晾干，得到滾筒壓印模板。

5.根據權利要求4所述的一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，所述第一次陽極氧化和第二次陽極氧化的參數相同，溫度為0℃～10℃，電壓為20V～100V，其中第二次陽極氧化的持續時間不大于2min。

6.根據權利要求4所述的一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，所述鋁基為Al/Si疊層結構，所述Al/Si疊層結構是在硅襯底上生長1～2μm厚的鋁薄膜。

7.根據權利要求6所述的一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，所述Al/Si疊層結構制備方法為：將經過預處理的Si襯底置于電子束蒸發裝置中，以不高于2nm·s^-1的沉積速率在Si襯底上沉積1～2μm厚的鋁薄膜，并于500℃下進行4小時的后退火，得到了Al/Si疊層結構。

8.根據權利要求7所述的一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，所述預處理為，將Si襯底置于HF酸溶液中浸泡15s后取出，用99.99％的氮氣吹干，備用。

9.根據權利要求7所述的一種具有微納米結構的多功能薄膜制備方法，其特征在于，沉積到所述Si襯底上的鋁顆粒尺寸為100nm～2μm。

10.根據權利要求1-9任一權利要求所述的方法制備的薄膜。