[發明專利]存儲器系統、存儲器模塊以及操作存儲器模塊的方法

在審

• 申請號: 201910231779.0
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN110308869A
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 金大正;姜志錫;高兌京;金成峻;金玗燮;樸贊益;申院濟;庾庸準;崔仁壽
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 史泉;張川緒

公開一種存儲器系統、存儲器模塊以及操作存儲器模塊的方法。所述存儲器系統包括：非易失性存儲器模塊；第一控制器，被配置為控制非易失性存儲器模塊。非易失性存儲器模塊包括：易失性存儲器裝置；非易失性存儲器裝置；第二控制器，被配置為控制易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。第一控制器可被配置為將讀取請求發送到第二控制器。當在根據所述讀取請求的讀取操作期間從非易失性存儲器裝置沒有接收到正常數據時，第一控制器可對第二控制器執行所述讀取請求的一次或多次重新發送，而不限制第一控制器執行所述讀取請求的一次或多次重新發送的次數。

本申請要求于2018年3月27日提交到韓國知識產權局的第10-2018-0035270號韓國專利申請的優先權，所述韓國專利申請的公開通過整體引用包含于此。

技術領域

本發明構思的實施例涉及一種半導體存儲器，更具體地講，涉及一種包括存儲器模塊的存儲器系統、存儲器模塊及操作存儲器模塊的方法。

背景技術

半導體存儲器使用半導體裝置來存儲數據。半導體存儲器包括易失性存儲器(諸如，動態隨機存取存儲器或靜態隨機存取存儲器)和非易失性存儲器(諸如，閃存、相變存儲器、鐵電存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器等)。

通常，易失性存儲器支持高速隨機存取，并被用作計算系統(諸如，個人計算機、服務器或工作站)的主存儲器。非易失性存儲器支持大存儲容量，并被用作計算系統的輔助存儲裝置。

近些年，已經研究并開發了存儲類存儲器(SCM)。開發存儲類存儲器以支持非易失性存儲器的大存儲容量和易失性存儲器的高速隨機存取。存儲類存儲器使用非易失性存儲器來實現。

為了與現有的主存儲器兼容，正基于與動態隨機存取存儲器相同的存儲器模塊來研究和開發存儲類存儲器。然而，由于作為主存儲器的動態隨機存取存儲器的操作特性與非易失性存儲器的操作特性之間的差異，在實現存儲類存儲器時可能存在問題。

發明內容

本發明構思的實施例提供一種包括能夠克服操作特性之間的差異并正常執行讀取和寫入的存儲器模塊的存儲器系統、存儲器模塊以及操作存儲器模塊的方法。

根據一些實施例，一種存儲器系統可包括：非易失性存儲器模塊；第一控制器，被配置為控制非易失性存儲器模塊。非易失性存儲器模塊可包括：易失性存儲器裝置；非易失性存儲器裝置；第二控制器，被配置為控制易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。第一控制器可被配置為將讀取請求發送到第二控制器。當在根據所述讀取請求的讀取操作期間從非易失性存儲器裝置沒有接收到正常數據時，第一控制器對第二控制器執行所述讀取請求的一次或多次重新發送，而不限制第一控制器執行所述讀取請求的一次或多次重新發送的次數。

正常數據可包括無錯誤數據或具有在可校正范圍內的錯誤的可校正數據，在發送所述讀取請求之后，當第一時間段過去而沒有接收到正常數據時，第一控制器可執行所述一次或多次重新發送中的所述讀取請求的第一次重新發送，在所述讀取請求的第一次重新發送之后，當第二時間段過去而沒有接收到正常數據時，第一控制器可執行所述一次或多次重新發送中的所述讀取請求的第二次重新發送。

第二時間段可短于第一時間段。

正常數據可包括無錯誤數據或具有在可校正范圍內的錯誤的可校正數據，響應于接收到所述讀取請求，第二控制器可從非易失性存儲器裝置或易失性存儲器裝置之一讀取包括正常數據或不可校正數據的數據。

在第二控制器從非易失性存儲器裝置讀取所述數據的同時，第二控制器可忽略所述讀取請求的一次或多次重新發送。

在從非易失性存儲器裝置讀取所述數據之后，響應于所述讀取請求的一次或多次重新發送中的至少一次重新發送，被讀取的所述數據可被發送到第一控制器。

在執行所述讀取請求的一次或多次重新發送中的第一次重新發送之后，當第三時間段過去而沒有接收到正常數據時，第一控制器可確定讀取失敗。