[發(fā)明專利]一種深度學(xué)習(xí)卷積計算的方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910231433.0
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN110009103B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳海波
• 申請（專利權(quán)）人: 深蘭科技（上海）有限公司
• 主分類號: G06N3/08
• 分類號: G06N3/08;G06N3/04
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種深度學(xué)習(xí)卷積計算的方法，其特征在于，該方法包括：

在計算中心對靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM存儲的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)進行卷積計算后，從雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器DDR存儲的未進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)中選擇至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)；

將選擇的DDR存儲的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)覆蓋所述SRAM存儲的卷積計算已使用的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)或存儲到所述SRAM中的空白存儲區(qū)域；

其中，所述目標(biāo)數(shù)據(jù)為特征圖的行像素數(shù)據(jù)和/或所述特征圖的卷積計算權(quán)重數(shù)據(jù)；

所述從雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器DDR存儲的未進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)中選擇至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)，包括：

確定計算中心中正在進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)所屬的特征圖的編號、所述目標(biāo)數(shù)據(jù)在所屬的特征圖中的行數(shù)、計算中心中正在進行的卷積計算對應(yīng)的輸出通道以及計算中心中正在進行的卷積計算的所述目標(biāo)數(shù)據(jù)對應(yīng)的權(quán)重編號；

確定SRAM中存儲的未進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目以及SRAM中存儲的進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目；

根據(jù)確定的所述目標(biāo)數(shù)據(jù)所屬的特征圖的編號、所述目標(biāo)數(shù)據(jù)在所屬的特征圖中的行數(shù)、所述卷積計算對應(yīng)的輸出通道以及SRAM中存儲的未進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目確定從DDR存儲的目標(biāo)數(shù)據(jù)中選擇的初始目標(biāo)數(shù)據(jù)；

根據(jù)SRAM中存儲的進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目確定從DDR存儲的目標(biāo)數(shù)據(jù)中選擇的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將選擇的DDR存儲的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)覆蓋所述SRAM存儲的卷積計算已使用的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)或存儲到所述SRAM中的空白存儲區(qū)域，包括：

確定選擇的目標(biāo)數(shù)據(jù)的存儲地址；

根據(jù)確定的所述目標(biāo)數(shù)據(jù)的存儲地址從DDR存儲的目標(biāo)數(shù)據(jù)中讀取所述目標(biāo)數(shù)據(jù)并覆蓋所述SRAM存儲的卷積計算已使用的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)或存儲到所述SRAM中的空白存儲區(qū)域。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述確定選擇的目標(biāo)數(shù)據(jù)的存儲地址，包括：

根據(jù)特征圖的編號和特征圖像素數(shù)據(jù)存儲地址之間的對應(yīng)關(guān)系確定選擇的目標(biāo)數(shù)據(jù)所屬的特征圖的編號對應(yīng)的特征圖像素數(shù)據(jù)存儲地址，以及根據(jù)特征圖的編號和權(quán)重系數(shù)編號存儲地址之間的對應(yīng)關(guān)系，確定選擇的目標(biāo)數(shù)據(jù)所屬的特征圖的編號對應(yīng)的權(quán)重系數(shù)編號存儲地址；

根據(jù)確定的所述目標(biāo)數(shù)據(jù)所屬的特征圖的編號、確定目標(biāo)數(shù)據(jù)所屬的特征圖的編號對應(yīng)的權(quán)重系數(shù)編號存儲地址、所述目標(biāo)數(shù)據(jù)在自身所屬的所述特征圖中的行數(shù)、所述目標(biāo)數(shù)據(jù)卷積計算對應(yīng)的權(quán)重系數(shù)編號以及當(dāng)前卷積的輸出通道，確定所述目標(biāo)數(shù)據(jù)的存儲地址。

4.一種深度學(xué)習(xí)卷積計算的裝置，其特征在于，該裝置包括：

至少一個處理單元以及至少一個存儲單元，其中，所述存儲單元存儲有程序代碼，當(dāng)所述程序代碼被所述處理單元執(zhí)行時，使得所述處理單元執(zhí)行下列過程：

在計算中心對SRAM存儲的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)進行卷積計算后，從DDR存儲的未進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)中選擇至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)；

將選擇的DDR存儲的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)覆蓋所述SRAM存儲的卷積計算已使用的至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)或存儲到所述SRAM中的空白存儲區(qū)域；

其中，所述目標(biāo)數(shù)據(jù)為特征圖的行像素數(shù)據(jù)和/或所述特征圖的卷積計算權(quán)重數(shù)據(jù)；

從DDR存儲的未進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)中選擇至少一個目標(biāo)數(shù)據(jù)時，確定計算中心中正在進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)所屬的特征圖的編號、所述目標(biāo)數(shù)據(jù)在所屬的特征圖中的行數(shù)、計算中心中正在進行的卷積計算對應(yīng)的輸出通道以及計算中心中正在進行的卷積計算的所述目標(biāo)數(shù)據(jù)對應(yīng)的權(quán)重編號；確定SRAM中存儲的未進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目以及SRAM中存儲的進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目；根據(jù)確定的所述目標(biāo)數(shù)據(jù)所屬的特征圖的編號、所述目標(biāo)數(shù)據(jù)在所屬的特征圖中的行數(shù)、所述卷積計算對應(yīng)的輸出通道以及SRAM中存儲的未進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目確定從DDR存儲的目標(biāo)數(shù)據(jù)中選擇的初始目標(biāo)數(shù)據(jù)；根據(jù)SRAM中存儲的進行卷積計算的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目確定從DDR存儲的目標(biāo)數(shù)據(jù)中選擇的目標(biāo)數(shù)據(jù)的數(shù)目。