[發(fā)明專利]聲諧振器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910229019.6
• 申請日: 2019-03-25
• 公開（公告）號: CN110324020A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬蒂·斯瓦魯普·薩杜;格諾特·法廷格;羅伯特·艾格納;邁克爾·舍費爾
• 申請（專利權(quán)）人: QORVO美國公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 梁麗超

1.一種聲諧振器，其包括：

·第一壓電層，所述第一壓電層具有第一極性；

·第二壓電層，所述第二壓電層具有與所述第一極性相反的第二極性；

·耦合器層，所述耦合器層在所述第一壓電層和所述第二壓電層之間；

·第一電極，所述第一電極在所述第一壓電層上與所述耦合器層相對；以及

·第二電極，所述第二電極在所述第二壓電層上與所述耦合器層相對。

2.如權(quán)利要求1所述的聲諧振器，其中：

·所述耦合器層具有第一聲阻抗；并且

·所述第一壓電層和所述第二壓電層具有第二聲阻抗，使得所述第一聲阻抗除以所述第二聲阻抗大于1.0。

3.如權(quán)利要求2所述的聲諧振器，其中所述第一聲阻抗除以所述第二聲阻抗大于1.5。

4.如權(quán)利要求2所述的聲諧振器，其中所述第一聲阻抗除以所述第二聲阻抗大于2.0。

5.如權(quán)利要求2所述的聲諧振器，其中所述第一聲阻抗除以所述第二聲阻抗大于3.0。

6.如權(quán)利要求2所述的聲諧振器，其中所述耦合器層為金屬層。

7.如權(quán)利要求6所述的聲諧振器，其中所述第一壓電層和所述第二壓電層為氮化鋁。

8.如權(quán)利要求7所述的聲諧振器，其中所述第一電極和所述第二電極為鎢。

9.如權(quán)利要求6所述的聲諧振器，其中所述耦合器層為鉬、鎢和鋨中的一種。

10.如權(quán)利要求9所述的聲諧振器，其中所述第一壓電層和所述第二壓電層為氮化鋁。

11.如權(quán)利要求10所述的聲諧振器，其中所述第一電極和所述第二電極為鎢。

12.如權(quán)利要求2所述的聲諧振器，其中：

·所述第一壓電層和所述第二壓電層的厚度在350nm和1050nm之間；并且

·所述耦合器層的厚度在30nm和120nm之間。

13.如權(quán)利要求2所述的聲諧振器，其中：

·所述耦合器層具有第一厚度；并且

·所述第一電極和所述第二電極具有第二厚度，使得所述第一厚度除以所述第二厚度在0.1和0.4之間。

14.如權(quán)利要求13所述的聲諧振器，其中：

·所述第一壓電層和所述第二壓電層的厚度在350nm和1050nm之間；

·所述耦合器層的厚度在30nm和120nm之間；并且

·所述第一電極和所述第二電極的厚度在100nm和300nm之間。

15.如權(quán)利要求14所述的聲諧振器，其中：

·所述第一壓電層和所述第二壓電層為氮化鋁；

·所述耦合器層為鉬、鎢和鋨中的一種；并且

·所述第一電極和所述第二電極為鎢。

16.如權(quán)利要求13所述的聲諧振器，其中所述第一厚度除以所述第二厚度在0.2和0.3之間。

17.如權(quán)利要求16所述的聲諧振器，其中：

·所述第一壓電層和所述第二壓電層的厚度在350nm和1050nm之間；

·所述耦合器層的厚度在30nm和120nm之間；并且

·所述第一電極和所述第二電極的厚度在100nm和300nm之間。

18.如權(quán)利要求17所述的聲諧振器，其中：

·所述第一壓電層和所述第二壓電層為氮化鋁；

·所述耦合器層為鉬、鎢和鋨中的一種；并且

·所述第一電極和所述第二電極為鎢。