[發明專利]一種掩模板和拼接曝光方法

在審

• 申請號: 201910228575.1
• 申請日: 2019-03-25
• 公開（公告）號: CN111736422A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 任書銘;楊志勇
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備(集團)股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/76;G03F7/20
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明實施例公開了一種掩模板和拼接曝光方法。此掩模板包括：目標曝光圖案和補償曝光圖案；所述補償曝光圖案位于所述目標曝光圖案的拼接端；沿垂直于拼接方向上，所述目標曝光圖案具有第一寬度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述補償曝光圖案具有第二寬度Y1；若所述第一寬度Y0與光刻裝置的最小分辨能力W滿足Y0≥120％W，所述補償曝光圖案鄰接于所述目標曝光圖案的拼接端，且60％Y0≤Y1≤99％Y0。本發明實施例的技術方案可在拼接曝光不斷線的同時，有利于解決拼接位置圖形變形的問題。

技術領域

本發明實施例涉及光刻技術領域，尤其涉及一種掩模板和拼接曝光方法。

背景技術

隨著技術的發展，顯示裝置和顯示面板的尺寸不斷增大。在制作顯示面板的過程中，通常需要應用掩模曝光技術對不同膜層進行曝光，對應得到目標曝光圖案，以期形成顯示面板中的各種電路結構或光學結構。目前，掩模曝光過程中，由于光刻裝置的曝光視場有限，當顯示面板的尺寸大于曝光視場的尺寸時，往往需要應用拼接曝光技術(也可稱為掩模板拼接技術)，所謂拼接曝光是指利用多個較小尺寸的掩模板進行分次多步曝光，形成較大尺寸的曝光圖案。

但是，掩模板拼接時，由于光學臨近效應的存在，光刻膠在實際曝光時會發生內縮現象，造成曝光后靠近圖形外端處發生變形，從而在拼接時較易發生斷線情況。為解決該問題，可將掩模圖形外端重疊拼接，但拼接重疊處的圖形由于受到了兩次曝光劑量的影響，此區域圖形相比只受到了一次曝光劑量影響的非拼接區域線寬就會有差異，從而導致拼接位置圖形變形的問題。

發明內容

本發明實施例提供一種掩模板和拼接曝光方法，以在拼接曝光不斷線的同時，有利于解決拼接位置圖形變形的問題。

本發明實施例提供一種掩模板，該掩模板包括：

目標曝光圖案和補償曝光圖案；

所述補償曝光圖案位于所述目標曝光圖案的拼接端；

沿垂直于拼接方向上，所述目標曝光圖案具有第一寬度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述補償曝光圖案具有第二寬度Y1；

若所述第一寬度Y0與光刻裝置的最小分辨能力W滿足Y0≥120％W，所述補償曝光圖案鄰接于所述目標曝光圖案的拼接端，且60％Y0≤Y1≤99％Y0。

進一步地，70％Y0≤Y1≤90％Y0。

進一步地，沿所述拼接方向，所述補償曝光圖案具有第一長度X1，1μm≤X1≤5μm。

進一步地，1.5μm≤X1≤2.5μm。

進一步地，所述補償曝光圖案中還設置有第一拼接中心線；在掩模曝光工藝中相互拼接的兩個補償曝光圖案的第一拼接中心線重疊。

進一步地，沿所述拼接方向，所述第一拼接中心線位于所述補償曝光圖案的所述第一長度X1的二分之一位置處。

進一步地，所述補償曝光圖案的形狀可包括半圓形、半橢圓形和多邊形中的至少一種。

進一步地，所述補償曝光圖案為軸對稱圖形，對稱軸沿所述拼接方向延伸。

本發明實施例還提供一種掩模板，該掩模板包括：

目標曝光圖案和補償曝光圖案；

所述補償曝光圖案位于所述目標曝光圖案的拼接端；

沿垂直于拼接方向上，所述目標曝光圖案具有第一寬度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述補償曝光圖案具有第二寬度Y1；

若所述第一寬度Y0與光刻裝置的最小分辨能力W滿足100％W≤Y0≤120％W，所述補償曝光圖案包覆于所述目標曝光圖案的拼接端，且

進一步地，