[發(fā)明專利]一種GaN大電流自供電直流固態(tài)斷路器及直流電源系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910228365.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109768531A | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周郁明;肖彩虹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H02H7/26 | 分類號(hào): | H02H7/26 |
| 代理公司: | 安徽知問律師事務(wù)所 34134 | 代理人: | 王亞軍 |
| 地址: | 243000 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 大電流 主開關(guān) 直流固態(tài)斷路器 直流電源系統(tǒng) 反激變換器 自供電 并聯(lián) 斷開 寬禁帶半導(dǎo)體材料 直流電源供電 半導(dǎo)體固體 寬輸入電壓 參數(shù)一致 電壓驅(qū)動(dòng) 故障電路 固體開關(guān) 輸出穩(wěn)定 同步動(dòng)作 正常電流 直流電源 氮化鎵 斷路器 外電源 自激式 配電 通型 電源 供電 傳遞 個(gè)性 制作 | ||
本發(fā)明公開了一種GaN大電流自供電直流固態(tài)斷路器及直流電源系統(tǒng),屬于直流電源供電和配電領(lǐng)域。具體由主開關(guān)S和反激變換器C構(gòu)成,主開關(guān)S是由若干個(gè)性能參數(shù)一致的寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵制作的固體開關(guān)S1、S2、……、Sn并聯(lián)構(gòu)成,并且都是常通型結(jié)構(gòu),反激變換器C是具有寬輸入電壓范圍的自激式結(jié)構(gòu),依靠故障電路的大電流在主開關(guān)兩端產(chǎn)生的電壓來激勵(lì)工作,并輸出穩(wěn)定的電壓驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的半導(dǎo)體固體開關(guān)同步動(dòng)作,斷開負(fù)載和直流電源,達(dá)到保護(hù)負(fù)載和電源的目的,而且斷路器在傳遞正常電流和斷開負(fù)載的過程無需外電源供電。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及直流電源供電和配電領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種GaN大電流自供電直流固態(tài)斷路器及直流電源系統(tǒng)。
背景技術(shù)
最近,光伏發(fā)電、儲(chǔ)能電池、燃料電池和其它的分布式發(fā)電等直流電源吸引了越來越多的注意,在工業(yè)、商業(yè)和居民區(qū)環(huán)境,IT設(shè)備、LED路燈和可調(diào)速電機(jī)驅(qū)動(dòng)等依靠直流電源供電的電子負(fù)載的數(shù)量成倍增加,在艦艇、飛機(jī)、通信系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電站和數(shù)據(jù)中心,直流電源在減少AC/DC轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)、降低成本、提高效率和可靠性等方面變得越來越有吸引力。然而,短路保護(hù)仍舊是直流電源系統(tǒng)應(yīng)用中的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)障礙,傳統(tǒng)的塑殼式機(jī)械斷路器具有可靠性高、開斷能力強(qiáng)、通態(tài)損耗小等優(yōu)點(diǎn),但也有動(dòng)作速度慢、動(dòng)作一致性差,且在動(dòng)作過程中常有電弧產(chǎn)生、易損毀觸頭、使用壽命短等缺點(diǎn)。基于半導(dǎo)體材料硅的固態(tài)斷路器,利用現(xiàn)代大功率電力電子技術(shù),在動(dòng)作速度上具有較大的優(yōu)勢(shì),這些斷路器依靠電流傳感器探測(cè)短路故障產(chǎn)生的過電流,控制單元處理過電流信號(hào)來決定是否關(guān)斷主開關(guān),但具有容量有限、過載能力差、正常工作時(shí)損耗大、不能完全開斷隔離電路等缺點(diǎn)?;旌现绷鲾嗦菲骼^承了機(jī)械斷路器通態(tài)損耗低以及固態(tài)斷路器開斷迅速的特點(diǎn),成為目前斷路器研究的主要方向。
隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件技術(shù)的進(jìn)步,基于半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)的斷路器引起了人們的注意。SiC單極器件,像靜電感應(yīng)晶體管(SIT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)等具有非常寬的安全工作區(qū),在靜態(tài)和瞬態(tài)條件下,相比Si器件而言,寬禁帶半導(dǎo)體材料制備的器件具有更低的通態(tài)電阻、更高的熱導(dǎo)率,并能承受更高的工作結(jié)溫。美國專利US2015/0280417A1提出了一種自供電的直流固態(tài)斷路器,由常通型寬禁帶半導(dǎo)體材料制備的固體開關(guān)、DC/DC變換器、若干電阻、二極管、避雷器、電容器等構(gòu)成,依靠半導(dǎo)體固體開關(guān)、DC/DC變換器和二極管的配置結(jié)構(gòu)和形式,斷流器能工作在單向、雙向等兩種直流電源形式。該專利是依靠和半導(dǎo)體固體開關(guān)并聯(lián)的第一電阻和第二電阻提取故障信號(hào),并且是單個(gè)半導(dǎo)體固體開關(guān)傳遞電流,在半導(dǎo)體固體開關(guān)關(guān)斷后回路的能量依靠避雷器耗散,因而容量難以做大。
發(fā)明內(nèi)容
1.要解決的技術(shù)問題
針對(duì)現(xiàn)有采用半導(dǎo)體固體開關(guān)作為主開關(guān)的直流斷流器存在容量有限、配置結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高等缺點(diǎn),提出一種GaN大電流自供電直流固態(tài)斷路器及直流電源系統(tǒng)。該結(jié)構(gòu)不但能夠大幅度提高斷路器的容量,而且能簡(jiǎn)化斷路器的結(jié)構(gòu),提高斷路器的可靠性。
2.技術(shù)方案
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。
一種GaN大電流自供電直流固態(tài)斷路器,包括,主開關(guān)和反激變換器,主開關(guān)和反激變換器并聯(lián),主開關(guān)由若干寬禁帶GaN半導(dǎo)體固體開關(guān)并聯(lián)構(gòu)成。正常狀態(tài)下主開關(guān)在直流電源和負(fù)載之間,起到傳遞電流的功能,故障狀態(tài)下反激變換器工作驅(qū)使主開關(guān)斷開直流電源和負(fù)載,起到保護(hù)電源和負(fù)載的功能。
優(yōu)選地,主開關(guān)和反激變換器的連接關(guān)系如下,
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安徽工業(yè)大學(xué),未經(jīng)安徽工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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