[發明專利]一種用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板和方法在審
| 申請號: | 201910221285.4 | 申請日: | 2019-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN111722468A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 郭素華 | 申請(專利權)人: | 芯恩(青島)集成電路有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38;G03F1/42 |
| 代理公司: | 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陳敏 |
| 地址: | 266555 山東省青島市黃島區*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 凸起 部晶圓 曝光 掩膜板 方法 | ||
1.一種用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,所述晶圓朝向所述掩膜板的一側設置有至少一個凸起部,所述掩膜板上設置有圖形層和對準標記,其特征在于,所述掩膜板上朝向所述晶圓的一面上還開設有能夠接納所述凸起部插入的至少一個缺口。
2.根據權利要求1所述的用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,其特征在于,所述缺口的深度大于或等于所述凸起部的高度。
3.根據權利要求1所述的用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,其特征在于,所述凸起部為設置在所述晶圓背面邊緣的圓環狀凸起。
4.根據權利要求3所述的用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,其特征在于,所述圓環狀凸起的徑向截面為矩形。
5.根據權利要求4所述的用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,其特征在于,所述缺口的內側壁為圓柱形,所述缺口的外側向背離中心側開放。
6.根據權利要求5所述的用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,其特征在于,所述圓環狀凸起的內側壁半徑R1減去所述缺口的內側壁半徑R1’的差值不小于所述掩膜板與所述晶圓對準時水平方向上所需的調整間隙。
7.根據權利要求4所述的用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,其特征在于,所述缺口為環形的凹槽。
8.根據權利要求7所述的用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,其特征在于,所述凹槽的截面形狀為矩形。
9.根據權利要求8所述的用于帶凸起部晶圓曝光的掩膜板,其特征在于,所述圓環狀凸起的內側壁半徑R1減去所述凹槽的內側壁半徑R1’的差值、所述凹槽的外側壁半徑R2’減去所述圓環狀凸起的外側壁半徑R2的差值均不小于所述掩膜板與所述晶圓對準時水平方向上所需的調整間隙。
10.一種使用權利要求1~9中任一項所述掩膜板對帶凸起部晶圓進行曝光的方法,其特征在于,曝光前將所述晶圓的所有凸起部插入至所述掩膜板對應的所述缺口內,并根據所需要的分辨率調整所述凸起部插入至所述缺口內的深度以使所述掩膜板與所述晶圓曝光面之間達到預定的曝光間隙要求后,保持所述掩膜板與所述晶圓的位置不變,再利用曝光光源對所述晶圓進行曝光。
11.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,所述凸起部與所述缺口的壁體之間設置有用于水平方向對準調整的調整間隙,曝光前水平方向上的對準過程,在所述凸起部插入所述缺口內后進行。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





