[發明專利]一種基于SE的堿拋光高效PERC電池工藝有效
申請號: | 201910221252.X | 申請日: | 2019-03-22 |
公開(公告)號: | CN110010721B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
發明(設計)人: | 鄭云龍;張玉前;龐三鳳;蘇世杰;陳世琴 | 申請(專利權)人: | 通威太陽能(合肥)有限公司;通威太陽能(安徽)有限公司 |
主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C09G1/00 |
代理公司: | 昆明合眾智信知識產權事務所 53113 | 代理人: | 張璽 |
地址: | 230088 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 基于 se 拋光 高效 perc 電池 工藝 | ||
1.一種基于SE的堿拋光高效PERC電池工藝,包括以下步驟:
步驟S01、制絨:單晶硅片經過表面制絨獲得絨面結構;
步驟S02、擴散:通入三氯氧磷和硅片進行反應,實現擴散制結;
步驟S03、SE工藝:選擇性發射極在輕摻雜的硅襯底上,通過微米尺寸的激光束有選擇性地進行雜質原子的重摻雜;
步驟S04、熱氧:在SE工藝后增加高溫熱氧工藝,在硅片表面生產沉積一層二氧化硅保護層;
步驟S05、去PSG:經過去PSG將邊緣PN結刻蝕去除;
步驟S06、堿拋光:采用優化后的堿拋配方,對硅片進行堿拋光;
步驟S07、退火:對堿拋光后的硅片進行退火,在硅片表面生產沉積二氧化硅膜層;
步驟S08、背鈍化:在硅片背部通過ALD或PECVD方式沉積三氧化二鋁鈍化膜層;
步驟S09、背膜:在硅片的背面生長沉積氮化硅膜;
步驟S10、正膜:在硅片的正面生長沉積氮化硅膜;
步驟S11、激光開槽:對鍍膜后的硅片背面進行激光開槽;
步驟S12、印刷燒結:經過絲網印刷完成背面和正面印刷,然后進行燒結工藝;
步驟S13、電注入:通過光衰爐或者電注入爐;
步驟S14、測試分檢:最后對電池片進行電池測試分檔;
其特征在于:所述優化后的堿拋配方包括三種堿拋液,其一包括200-350ml的添加劑補液、300-1000ml的堿補液和7-9L的純水補液;其二包括250-400ml的添加劑補液、850-1150ml的堿補液和8-10L的純水補液;其三包括300-500ml的添加劑補液、1000-1300ml的堿補液和9-11L的純水補液;
步驟S06中,堿拋光所使用的優化后的堿拋配方按照階梯式進行補加:
第1-15批次,添加劑補液量為200-350ml,堿補液量為300-1000ml,純水補液量為7-9L;
第16-30批次,添加劑補液量為250-400ml,堿補液量為850-1150ml,純水補液量為8-10L;
第31-60批次,添加劑補液量為300-500ml,堿補液量為1000-1300ml,純水補液量為9-11L。
2.根據權利要求1所述的一種基于SE的堿拋光高效PERC電池工藝,其特征在于:所述堿補液選用氫氧化鉀溶液。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的