[發明專利]一種碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201910218601.2 | 申請日： | 2019-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN109999870B | 公開（公告）日： | 2022-01-11 |
| 發明（設計）人： | 曹宏;李梓燁;薛俊;安子博;袁密;鄭雨佳 | 申請（專利權）人： | 武漢工程大學 |
| 主分類號： | B01J27/224 | 分類號： | B01J27/224;B01J37/08;B01J37/06;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/38 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立;姜展志 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 石墨 納米 片狀 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)制備石墨烯納米片和一氧化硅粉末混合分散液，所述混合分散液中石墨烯與一氧化硅的摩爾比為(2-1)：(1-2.5)；
2)對所述混合分散液進行干燥得到前驅體；
3)將所述前驅體在真空度為0.03-0.1MPa，溫度為1000-1250℃條件下煅燒，得到碳化硅/石墨烯納米片粗產物；
4)對所述粗產物進行除硅處理得到碳化硅/石墨烯納米片復合材料。
2.根據權利要求1所述的碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料制備方法，其特征在于，步驟3)中前驅體的煅燒溫度為1050-1200℃，升溫速率為4-6℃/min，煅燒時間為1-24h。
3.根據權利要求1所述的碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料制備方法，其特征在于，步驟3)中前驅體煅燒的真空度為0.05MPa-0.08MPa。
4.根據權利要求1所述的碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料制備方法，其特征在于，步驟1)的混合分散液中的分散溶劑為N-甲基吡咯烷酮或N-N二甲基甲酰胺。
5.根據權利要求1所述的碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料制備方法，其特征在于，步驟1)中石墨烯與一氧化硅的摩爾比為(2-1):(1.5-2)。
6.根據權利要求1-5任一所述的碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料制備方法，其特征在于，步驟4)中除硅處理包括氫氟酸溶液浸泡洗滌或者堿溶液浸泡處理。
7.一種碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料，其特征在于，由權利要求1-6任一所述的碳化硅/石墨烯納米片狀復合材料制備方法制備得到。
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