[發明專利]一種控制甘草酸單銨殘留乙醇含量的重結晶與烘干方法

在審

• 申請號: 201910217680.5
• 申請日: 2019-03-21
• 公開（公告）號: CN109912678A
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 陳振鴻
• 申請（專利權）人: 新疆富沃藥業有限公司
• 主分類號: C07J63/00
• 分類號: C07J63/00
• 代理公司: 西安睿通知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 61218
• 代理人: 惠文軒

本發明公開了一種控制甘草酸單銨殘留乙醇的重結晶與烘干方法，首先將甘草酸單銨粗品加入乙醇水溶劑中溶解，溶解后加入不含乙醇殘留的甘草酸單銨晶種，控制溫度降溫析晶，得顆粒狀結晶物；然后向顆粒狀結晶物中噴微米級霧狀水，一次烘干；再次向待烘干物料中噴微米級霧狀水，二次烘干；如此循環2?3次。本發明的控制甘草酸單銨殘留乙醇的重結晶與烘干方法可有效減少甘草酸單銨中殘留的乙醇量。此外，本發明的重結晶與烘干方法還可以降低甘草酸單銨中主要雜質的含量，提高主成分的含量。

技術領域

本發明涉及甘草酸單銨的制備技術領域，尤其涉及一種控制甘草酸單銨殘留乙醇的重結晶與烘干方法。

背景技術

甘草酸單銨重結晶使用乙醇水溶液作為溶劑，按照各國藥典要求，原料藥在生產過程中使用乙醇后，要求最終產品控制乙醇殘留在0.5％以下。

但是，傳統的重結晶方式為：在乙醇水溶劑中高溫溶解而后降溫析晶的方式得到的甘草酸單銨，再通過普通的熱風循環干燥方式或減壓干燥方式進行干燥；這種重結晶方式均難以達到此標準。

而甘草酸單銨殘留乙醇較高的原因主要是：一般含有羥基、氨基而且熔點不太高的物質盡量不選擇含氧溶劑，因為溶質與溶劑形成分子間氫鍵后很難除凈；而甘草酸單銨分子結構中含有羥基、氨基，所以通過熱風循環干燥箱干燥或者減壓干燥的方式均難以使其殘留溶劑達到0.5％以下。并且，甘草酸單銨鹽如果烘料溫度太高，料易發黃。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本發明的目的在于提供一種控制甘草酸單銨殘留乙醇的重結晶與烘干方法，可顯著降低甘草酸單銨殘留乙醇，最低可達零殘留，并可以顯著提高甘草酸單銨的含量。

為達到上述目的，本發明采用以下技術方案予以實現。

一種控制甘草酸單銨殘留乙醇的重結晶與烘干方法，包括以下步驟：

步驟1，重結晶階段：首先將甘草酸單銨粗品加入乙醇水溶劑中溶解，溶解后加入不含乙醇殘留的甘草酸單銨晶種，控制溫度降溫析晶，得顆粒狀結晶物；

步驟2，烘干階段：向顆粒狀結晶物中噴微米級霧狀水，一次烘干；再次向待烘干物料中噴微米級霧狀水，二次烘干；如此循環2-3次。

本發明技術方案的特點和進一步的改進在于：

優選的，步驟1中，溶解溫度為70-80℃。

優選的，步驟1中，所述降溫析晶的降溫速度為0.05-0.1℃/分鐘。

優選的，步驟1中，所述甘草酸單銨晶種的加入量為甘草酸單銨粗品質量的0.5-1.0％。

優選的，步驟2中，每次霧狀水的噴入量分別為所述待烘干物料的2-4％。

優選的，步驟2中，所述一次烘干和二次烘干的溫度分別為75-85℃，烘干的時間為2-4小時。

優選的，步驟2中，所述霧狀水的水霧粒徑為10-20μm。

與現有技術相比，本發明的有益效果為：

本發明的控制甘草酸單銨殘留乙醇的重結晶與烘干方法首先利用緩慢析晶的方式改變結晶物的形態，使結晶物由傳統形成的粉末狀結晶物變化為顆粒狀結晶物，顆粒狀結晶物減少了其對乙醇的吸附量；還利用水在蒸發過程中可以攜帶乙醇的原理，在烘干階段向待烘干物料中噴微米級霧狀水，有效減少了甘草酸單銨中殘留的乙醇量；由于甘草酸單銨遇水滴較大時易發粘，影響產品外觀，因此本發明使用微米級的霧狀水。此外，本發明的重結晶與烘干方法還可以降低甘草酸單銨中主要雜質的含量，提高主成分的含量。

具體實施方式

下面對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。