[發明專利]暖機方法和基片的刻蝕方法有效
| 申請號： | 201910216389.6 | 申請日： | 2019-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN111725044B | 公開（公告）日： | 2023-08-18 |
| 發明（設計）人： | 張君 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 方法 刻蝕 | ||
1.一種暖機方法，用于使腔室達到工藝所需的工作狀態，其特征在于，所述暖機方法包括：
步驟S1：對光膠片進行第一刻蝕，以將生成的聚合物覆蓋在暴露于所述腔室內的工藝環境中的部件表面；
步驟S2：對所述光膠片進行第二刻蝕，用于在暴露于所述腔室內的工藝環境中的石英蓋表面增加所述聚合物；
所述步驟S2采用的腔室壓力大于所述步驟S1采用的腔室壓力；
其中，所述步驟S1采用的激勵功率的取值范圍為1000W～1200W，所述步驟S1采用的所述腔室壓力的取值范圍為3mT～50mT；所述步驟S2采用的所述腔室壓力的取值范圍為50mT～100mT，第一刻蝕和第二刻蝕的工藝氣體為BCl3。
2.根據權利要求1所述的暖機方法，其特征在于，交替進行所述步驟S1和S2至少兩次。
3.根據權利要求1所述的暖機方法，其特征在于，所述步驟S2采用的工藝氣體的流量大于所述步驟S1采用的工藝氣體的流量。
4.根據權利要求3所述的暖機方法，其特征在于，所述步驟S1采用的所述工藝氣體的流量的取值范圍為100sccm～200sccm；所述步驟S2采用的所述工藝氣體的流量的取值范圍為200sccm～300sccm。
5.根據權利要求1所述的暖機方法，其特征在于，所述步驟S1包括多個子步驟，在每個所述子步驟中，分別對所述光膠片進行預設時長的所述第一刻蝕。
6.根據權利要求5所述的暖機方法，其特征在于，后一個所述子步驟采用的腔室壓力小于前一個所述子步驟采用的腔室壓力。
7.根據權利要求6所述的暖機方法，其特征在于，后一個所述子步驟采用的工藝氣體的流量小于前一個所述子步驟采用的工藝氣體的流量。
8.根據權利要求7所述的暖機方法，其特征在于，后一個所述子步驟的工藝時間大于前一個所述子步驟的工藝時間。
9.一種基片的刻蝕方法，其特征在于，包括：
采用權利要求1～8任一項所述的暖機方法使腔室達到所述工藝所需的工作狀態；
將基片置于達到所述工藝所需的工作狀態的所述腔室中，并對所述基片進行刻蝕。
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