[發明專利]封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201910216280.2
• 申請日: 2019-03-21
• 公開（公告）號: CN110957437B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 鄭禮輝;高金福;簡智源;盧思維
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 康艷青;姚開麗

1.一種封裝結構，其特征在于，包括：

襯底；

管芯，設置在所述襯底上，其中所述管芯具有暴露出所述襯底的貫穿孔；

粘著層，設置在所述襯底與所述管芯之間，其中所述粘著層具有彎曲的表面；

擋墻結構，設置在所述襯底上且被所述粘著層環繞；以及

包封體，包封所述管芯。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述粘著層包括液體型管芯貼合膜或液體型導線上膜。

3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述粘著層不含填料。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述粘著層具有下沉部分，且所述下沉部分的表面是所述彎曲的表面。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述粘著層的最大厚度小于或等于所述擋墻結構的厚度。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述粘著層具有溢流部分，所述溢流部分局部地覆蓋所述管芯的側壁以及所述擋墻結構的頂表面，且所述溢流部分的表面是所述彎曲的表面。

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述粘著層的最大厚度大于所述擋墻結構的厚度。

8.一種封裝結構，其特征在于，包括：

第一管芯；

第二管芯以及第三管芯，并排地設置在所述第一管芯上，其中所述第三管芯具有暴露出所述第一管芯的貫穿孔；

粘著層，夾置在所述第三管芯與所述第一管芯之間，其中所述粘著層包括位于所述貫穿孔中的凹陷部分；

擋墻結構，設置在所述第一管芯上且位于所述貫穿孔中；以及

包封體，包封所述第二管芯及所述第三管芯。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，還包括：

重布線結構，與所述第二管芯及所述第三管芯相對地位于所述第一管芯上；以及

多個導電端子，位于所述重布線結構上。

10.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，還包括設置在所述第二管芯與所述第一管芯之間的多個連接件，且所述第二管芯通過所述多個連接件與所述第一管芯電連接。

11.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，還包括局部地覆蓋所述貫穿孔的側壁的介電材料。

12.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述第三管芯是電浮動的。

13.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述凹陷部分局部地覆蓋所述貫穿孔的側壁及所述擋墻結構的頂表面。

14.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述擋墻結構包括金屬。

15.一種制造封裝結構的方法，其特征在于，包括：

提供第一管芯，所述第一管芯具有第一區及與所述第一區相鄰的第二區；

在所述第二區中形成擋墻結構；

在所述第二區中配置粘著層，其中所述粘著層環繞所述擋墻結構；

在所述第一區中放置第二管芯以及在所述第二區中放置第三管芯，其中所述第三管芯具有內側部分、外側部分以及位于所述內側部分與所述外側部分之間的溝槽，且所述溝槽被介電材料局部地填充；

使用包封體包封所述第二管芯及所述第三管芯；

減小所述第三管芯的厚度以顯露出填充在所述第三管芯的所述溝槽中的所述介電材料；以及

移除所述第三管芯的所述內側部分以暴露出所述第一管芯。