[發明專利]短波長深紫外LED外延結構、其P型層材料及制法與應用在審
| 申請號： | 201910216106.8 | 申請日： | 2019-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN111725364A | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發明（設計）人： | 徐峰;于國浩;鄧旭光;張麗;張寶順 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波長 深紫 led 外延 結構 材料 制法 應用 | ||
1.一種P型層材料，其應用于短波長深紫外LED的外延結構內，其特征在于：所述P型層材料具有周期性AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格結構，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格結構包括交替層疊的AlxGa1-xN勢壘層和AlyGa1-yN勢阱層；其中，x＞y，且0＜x≤1、0≤y＜1。
2.根據權利要求1所述的P型層材料，其特征在于：所述周期性AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格結構的周期數大于2。
3.根據權利要求1所述的P型層材料，其特征在于：所述AlxGa1-xN勢壘層和AlyGa1-yN勢阱層中任一者的厚度均小于10nm。
4.根據權利要求1所述的P型層材料，其特征在于：所述AlyGa1-yN勢阱層是經Mg摻雜的。
5.根據權利要求1所述的P型層材料，其特征在于：所述P型層材料的空穴載流子濃度大于4×1018/cm3，空穴載流子遷移率大于100cm2V-1S-1。
6.如權利要求1-5中任一項所述的P型層材料的制作方法，其特征在于包括：
交替生長AlxGa1-xN勢壘層和AlyGa1-yN勢阱層，形成周期性AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格結構，其中，x＞y，0＜x≤1、0≤y＜1；以及，至少采用Mg對所述AlyGa1-yN勢阱層進行摻雜處理。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于包括：采用金屬有機化合物化學氣相沉積法生長形成AlxGa1-xN勢壘層和AlyGa1-yN勢阱層。
8.一種短波長深紫外LED的外延結構，包括N型層、量子阱層和P型層，其特征在于：所述P型層包括權利要求1-5中任一項所述的P型層材料；所述量子阱層包括周期性AlmGa1-mN/AlnGa1-nN多量子阱結構，O＜m＜1，O＜n＜1，且周期大于2。
9.根據權利要求8所述的短波長深紫外LED外延結構，其特征在于包括依次疊設的緩沖成核層、支撐層、N型層、量子阱層、電子阻擋層和P型層。
10.一種半導體發光器件，其特征在于包括權利要求1-5中任一項所述的P型層材料或權利要求8-9中任一項所述的短波長深紫外LED外延結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，未經中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910216106.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
