[發明專利]一種直流系統開斷過電壓試驗裝置及其試驗方法

在審

• 申請號: 201910215259.0
• 申請日: 2019-03-21
• 公開（公告）號: CN109856519A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 趙贏峰;呂瑋;楊兵;謝曄源;方太勛
• 申請（專利權）人: 南京南瑞繼保電氣有限公司;南京南瑞繼保工程技術有限公司
• 主分類號: G01R31/14
• 分類號: G01R31/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：所述試驗裝置包括電壓源(10)、單向導通單元(20)、限流電感(30)、調波單元(40)、試品(50)和放電單元(60)，所述調波單元(40)包括調波電阻(401)，所述調波電阻(401)為可調電阻；其中：所述電壓源(10)、單向導通單元(20)、限流電感(30)、調波電阻(401)和試品(50)順次串聯連接，放電單元(60)和試品(50)并聯連接。

2.如權利要求1所述的一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：所述調波單元(40)還包括調波電容(402)，所述調波電容(402)與試品(50)并聯連接；調波電容(402)為可調電容。

3.如權利要求1或2所述的一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：所述電壓源(10)包括充電電源(101)、充電開關(102)、放電開關(103)、放電電容(104)和放電電阻一(105)，放電電容(104)與相互串聯的充電電源(101)和充電開關(102)并聯，放電電容(104)與相互串聯的放電開關(103)和放電電阻一(105)并聯；所述放電電容(104)為單獨布置的可調電容。

4.如權利要求1所述的一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：所述單向導通單元(20)包括可控功率半導體硅堆一(201)、可控功率半導體硅堆二(202)、二極管硅堆一(203)、二極管硅堆二(204)，可控功率半導體硅堆一(201)和二極管硅堆一(203)反向并聯，可控功率半導體硅堆二(202)和二極管硅堆二(204)反向并聯，可控功率半導體硅堆一(201)和可控功率半導體硅堆二(202)反向串聯；可控功率半導體硅堆一(201)、可控功率半導體硅堆二(202)、二極管硅堆一(203)、二極管硅堆二(204)均包含至少一個功率半導體開關器件，同一個硅堆中的所有功率半導體開關器件同向依次串聯，功率半導體開關器件均包括相應的均壓回路。

5.如權利要求4所述的一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：所述可控功率半導體硅堆一(201)和可控功率半導體硅堆二(202)中的功率半導體開關器件為晶閘管、IGBT、SiC。

6.如權利要求1所述的一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：所述單向導通單元(20)對地電位絕緣為絕緣材料支撐或者絕緣材料懸吊。

7.如權利要求1所述的一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：所述試品(50)包括試品電容(501)和試品電阻(502)，試品電容(501)和試品電阻(502)并聯連接。

8.如權利要求1所述的一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：所述放電單元(60)包括放電電阻二(601)和間隙(602)，放電電阻二(601)和間隙(602)串聯連接。

9.如權利要求3所述的一種直流系統開斷過電壓試驗裝置，其特征在于：

所述單向導通單元(20)包括可控功率半導體硅堆一(201)、可控功率半導體硅堆二(202)、二極管硅堆一(203)、二極管硅堆二(204)，可控功率半導體硅堆一(201)和二極管硅堆一(203)反向并聯，可控功率半導體硅堆二(202)和二極管硅堆二(204)反向并聯，可控功率半導體硅堆一(201)和可控功率半導體硅堆二(202)反向串聯；可控功率半導體硅堆一(201)、可控功率半導體硅堆二(202)、二極管硅堆一(203)、二極管硅堆二(204)均包含至少一個功率半導體開關器件，同一個硅堆中的所有功率半導體開關器件同向依次串聯，功率半導體開關器件均包括相應的均壓回路；

所述試品(50)包括試品電容(501)和試品電阻(502)，試品電容(501)和試品電阻(502)并聯連接；

所述放電單元(60)包括放電電阻二(601)和間隙(602)，放電電阻二(601)和間隙(602)串聯連接。