[發明專利]一種微納器件

有效

• 申請號: 201910213710.5
• 申請日: 2019-03-20
• 公開（公告）號: CN109916876B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 孫海龍;郭清華;馬從喬;李大飛
• 申請（專利權）人: 蘇州英菲尼納米科技有限公司
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 汪青;向亞蘭

1.一種微納器件，其特征在于，所述微納器件包括多個模塊，每個所述模塊包括具有多個凹坑的基片和自組裝在所述凹坑內的納米粒子聚集體；

其中，不同所述模塊中的納米粒子聚集體所包含的納米粒子的粒徑和/或納米粒子的數量相差0.2倍以上，且不同所述模塊中的納米粒子聚集體所包含的納米粒子的粒徑和/或納米粒子的數量呈等量遞增或等量遞減變化；

不同所述模塊中的凹坑的深度和/或凹坑的口部直徑相差0.2倍以上，且不同所述模塊中的凹坑的深度和/或凹坑的口部直徑呈等量遞增或等量遞減變化。

2.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，不同所述模塊中的納米粒子聚集體所包含的納米粒子的粒徑和/或納米粒子的數量相差0.5倍以上。

3.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，不同所述模塊中的納米粒子聚集體所包含的納米粒子的粒徑相差30nm以上。

4.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，所述納米粒子聚集體的粒徑為50nm-50μm。

5.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，所述納米粒子聚集體包括3-20個納米粒子，所述納米粒子的粒徑為30nm-120nm。

6.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，所述凹坑之間的間距呈規律性變化，所述凹坑之間的間距呈規律性變化的方式為等量遞增或遞減。

7.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，各個所述模塊中所述凹坑的形狀呈規律性變化，且各個所述模塊中所述凹坑的形狀呈規律性變化的方式為形狀的重復排列。

8.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，所述基片為厚度2mm以內的薄片，所述基片的材料為選自玻璃、硅、聚四氟乙烯、聚苯乙烯、氧化鋁、氧化鈦中的一種。

9.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，所述納米粒子聚集體由多個金納米粒子、納米二氧化鈦、納米二氧化硅或銀納米粒子組成。

10.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，所述微納器件還包括襯底，所述多個模塊分別設置在所述襯底之上。

11.根據權利要求1所述的微納器件，其特征在于，不同所述模塊中的基片為同一個基底的不同組成部分。