[發明專利]發光裝置

有效

• 申請號: 201910213401.8
• 申請日: 2019-03-20
• 公開（公告）號: CN111725369B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 周秀玫;王德忠;汪信全
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種發光裝置，其特征在于，包括：

一基板；

一緩沖層，設置于該基板上；

一N型半導體層，設置于該緩沖層上，并具有一電極接觸區，其中該N型半導體層包含：多個凸形微結構，位于該電極接觸區，且各該凸形微結構包含交替堆疊的多個第一子層及多個第二子層，其中所述多個第一子層包含Al_xGa_(1-x)N，且所述多個第二子層包含Al_yGa_(1-y)N，其中0x1，0y1，且x≠y；

一發光層，設置于該N型半導體層上；

一P型半導體層，設置于該發光層上；

一第一電極，設置于該N型半導體層的該電極接觸區上，并覆蓋所述多個凸形微結構，其中所述多個第一子層中的至少一者的一側壁及所述多個第二子層中的至少一者的一側壁接觸該第一電極；以及

一第二電極，設置于該P型半導體層上。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述多個凸形微結構中的至少一者還包含：

一第三子層，位于所述多個第一子層及所述多個第二子層之上，且該第三子層的Si摻雜濃度低于10¹⁸/cm³。

3.根據權利要求2所述的發光裝置，其特征在于，該第三子層包含Al_zGa_(1-z)N，其中0≤z1。

4.根據權利要求2所述的發光裝置，其特征在于，所述多個凸形微結構中的該至少一者還包含：

一第四子層，位于該第三子層上，且該第四子層包含Al_pGa_(1-p)N，其中0p1，其中該第四子層的Si摻雜濃度高于10¹⁸/cm³。

5.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，各該凸形微結構具有的一高度。

6.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該N型半導體層包含：

交替堆疊的多個第一N型層及多個第二N型層，其中所述多個第一N型層包含Al_xGa_(1-x)N，且所述多個第二N型層包含Al_yGa_(1-y)N，其中0x1，0y1，且x≠y。

7.根據權利要求6所述的發光裝置，其特征在于，該N型半導體層還包含：

一第三N型層，位于所述多個第一N型層及所述多個第二N型層之上，且該第三N型層的Si摻雜濃度低于10¹⁸/cm³。

8.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，該第三N型層包含Al_zGa_(1-z)N，其中0≤z1。

9.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，該第三N型層具有的一厚度。

10.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，該N型半導體層還包含：

一第四N型層，位于該第三N型層上，且該第四N型層包含Al_pGa_(1-p)N，其中0p1，其中該第四N型層的Si摻雜濃度高于10¹⁸/cm³。

11.根據權利要求6所述的發光裝置，其特征在于，各該第一N型層及各該第二N型層具有的一厚度。