[發明專利]一種p-n結近紅外光電探測器有效
| 申請號： | 201910211700.8 | 申請日： | 2019-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN110047953B | 公開（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發明（設計）人： | 戴葉婧;李麗 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H01L31/0296 | 分類號： | H01L31/0296;H01L31/109 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300350 天津市津南區海*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紅外 光電 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種p-n結近紅外光電探測器，其特征在于，包括：
p型襯底；所述的p型襯底為p型Si襯底；
在所述襯底上形成下部電極；
在所述襯底的另一側形成n型二維納米片陣列；該n型二維納米片陣列為V-doped ZnO納米片陣列，由以下方法制得：(1)運用勻膠法或磁控濺射法在襯底上制備ZnO種子層；(2)水熱溶液法合成V-doped ZnO納米片陣列；
在所述n型二維納米片陣列上形成上部電極。
2.根據權利要求1所述的p-n結近紅外光電探測器，其特征在于，所述n型二維納米片陣列制備步驟(2)中水熱溶劑為：Zn(NO3)2·6H2O、HMTA和V2O5，水熱溫度為90～100℃，水熱時間為3～5小時。
3.根據權利要求1所述的p-n結近紅外光電探測器，其特征在于，所述的下部電極為Al電極，需運用磁控濺射法在Si襯底上形成。
4.根據權利要求1所述的p-n結近紅外光電探測器，其特征在于，所述的上部電極為磁控濺射制得的透明的ITO電極。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
