[發(fā)明專利]AlN模板以及發(fā)光二極管外延片的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910209256.6 | 申請日： | 2019-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN110098287B | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉旺平;喬楠;呂蒙普;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | aln 模板 以及 發(fā)光二極管 外延 制造 方法 | ||
1.一種AlN模板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在襯底上依次沉積多個AlN子層，得到AlN模板，在遠離所述襯底的方向上，多個所述AlN子層的沉積溫度逐漸增大，相鄰的兩個AlN子層的沉積溫度的差值為50～100℃，每個所述AlN子層的沉積溫度為500～700℃；
所述在襯底上依次沉積多個AlN子層，包括：
沉積一個AlN子層后，中斷所述AlN子層的沉積；
在沉積一個AlN子層后的沉積中斷時間內，將所述AlN子層的沉積溫度升高；
沉積下一個AlN子層。
2.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，每個所述AlN子層在沉積過程中的沉積溫度保持不變。
3.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其特征在于，相鄰的兩個AlN子層的沉積溫度的差值相等。
4.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，每個所述AlN子層在沉積過程中的沉積溫度逐漸增大。
5.根據(jù)權利要求1～4任一項所述的制造方法，其特征在于，每個所述AlN子層的厚度相等。
6.根據(jù)權利要求1～4任一項所述的制造方法，其特征在于，每個所述AlN子層的厚度為5～8nm。
7.根據(jù)權利要求1～4任一項所述的制造方法，其特征在于，每沉積一個AlN子層后的沉積中斷時間為t，5≤t≤10s。
8.一種發(fā)光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
采用權利要求1至權利要求7任一項所述的制造方法制造AlN模板；
在所述AlN模板上生長外延層。
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