[發明專利]太赫茲光電探測器

有效

• 申請號: 201910206985.6
• 申請日: 2019-03-19
• 公開（公告）號: CN111739950B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 賀濤;楊宇鵬;胡海峰;金梅花
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/10
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王慶龍;苗曉靜

本發明實施例提供一種太赫茲光電探測器，包括：上層結構；上層結構包括頻率選擇表面、微帶線和肖特基二極管；頻率選擇表面通過微帶線與肖特基二極管連接；頻率選擇表面用于吸收特定頻率的入射波能量；微帶線用于匯集入射波能量，并將匯集后的入射波能量傳導至肖特基二極管；肖特基二極管用于對入射波能量進行整流，輸出對應的直流電信號。本發明實施例提供的太赫茲光電探測器，通過微帶線將頻率選擇表面吸收的入射波能量傳導至肖特基二極管，從而利用肖特基二極管整流成直流電信號輸出，同時實現了頻率選擇以及將太赫茲信號轉化為直流電信號的功能。

技術領域

本發明實施例涉及光電子領域，更具體地，涉及一種太赫茲光電探測器。

背景技術

目前的太赫茲探測器主要為高萊管、熱電堆和測輻射熱計等，具有寬譜響應特點，無法滿足選頻測量的需求。在此類器件前端增加頻率選擇表面可以實現特定頻率的光電探測。另外，在光電探測領域，能夠將高頻空間太赫茲信號轉化為直流電信號是夢寐以求的技術之一。能吸收太赫茲波并輸出直流電信號的探測器包括基于肖特基二極管的探測器、場效應晶體管和量子阱探測器等。但是，現有技術中缺乏一種能夠同時實現頻率選擇以及將太赫茲信號轉化為直流電信號的太赫茲光電探測器。

發明內容

為了解決上述問題，本發明實施例提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的太赫茲光電探測器。

本發明實施例提供一種太赫茲光電探測器，包括：上層結構；上層結構包括頻率選擇表面、微帶線和肖特基二極管；頻率選擇表面通過微帶線與肖特基二極管連接；頻率選擇表面用于吸收特定頻率的入射波能量；微帶線用于匯集入射波能量，并將匯集后的入射波能量傳導至肖特基二極管；肖特基二極管用于對入射波能量進行整流，輸出對應的直流電信號。

本發明實施例提供的太赫茲光電探測器，通過微帶線將頻率選擇表面吸收的入射波能量傳導至肖特基二極管，從而利用肖特基二極管整流成直流電信號輸出，同時實現了頻率選擇以及將太赫茲信號轉化為直流電信號的功能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的太赫茲光電探測器的俯視結構示意圖；

圖2為本發明實施例提供的太赫茲光電探測器的側視結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的太赫茲光電探測器在0.2～0.3THz的吸收譜；

圖4為本發明實施例提供的肖特基二極管兩端電壓隨頻率的變化圖。

圖中，10：上層結構；11：矩形金屬條；12：肖特基二極管；13：微帶線；14：電阻；20：中層結構；30：底層結構。

具體實施方式

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明實施例提供一種太赫茲光電探測器，參見圖1和圖2，太赫茲光電探測器包括：上層結構10；上層結構10包括頻率選擇表面、微帶線13和肖特基二極管12；頻率選擇表面通過微帶線13與肖特基二極管12連接；頻率選擇表面用于吸收特定頻率的入射波能量；微帶線13用于匯集入射波能量，并將匯集后的入射波能量傳導至肖特基二極管12；肖特基二極管12用于對入射波能量進行整流，輸出對應的直流電信號。