[發(fā)明專利]切割設(shè)備、切割方法、和顯示面板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910202274.1
• 申請日: 2019-03-18
• 公開（公告）號: CN110039189B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周文濤
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/70
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種切割設(shè)備，其特征在于，包括：

承載臺，包含第一面和相對所述第一面的第二面，其中所述第一面用于放置基板，以及所述基板包含對位標(biāo)志和切割線，且所述基板的所述對位標(biāo)志與所述切割線在第一方向上相隔一距離；

對位系統(tǒng)，設(shè)置在相對于所述承載臺的所述第一面的一側(cè)，用于對準(zhǔn)所述基板的所述對位標(biāo)志；

移動裝置，與所述對位系統(tǒng)連接，用于帶動所述對位系統(tǒng)沿著第一方向相對所述承載臺水平移動；以及

激光頭，設(shè)置在相對于所述承載臺的所述第二面的一側(cè)，用于沿著所述基板的所述切割線切割所述基板，其中所述切割設(shè)備包含原點模式和切割模式，且當(dāng)所述切割設(shè)備設(shè)定在所述原點模式時，所述對位系統(tǒng)、所述激光頭、和所述基板的所述切割線彼此對準(zhǔn)；以及當(dāng)所述切割設(shè)備設(shè)定在所述切割模式時，所述對位系統(tǒng)對準(zhǔn)所述基板的所述對位標(biāo)志，且所述激光頭對準(zhǔn)所述基板的所述切割線。

2.如權(quán)利要求1的切割設(shè)備，其特征在于，所述切割設(shè)備還包含基座，且所述承載臺設(shè)置在所述基座上，其中所述承載臺可沿著所述第一方向相對所述基座移動。

3.一種切割方法，其特征在于，所述切割方法適用于切割設(shè)備，且所述切割設(shè)備包含承載臺、對位系統(tǒng)、移動裝置、和激光頭，其中所述對位系統(tǒng)和所述激光頭分別位在所述承載臺的相對兩側(cè)，且所述移動裝置與所述對位系統(tǒng)連接，以及所述切割方法包含：

在所述承載臺上放置基板，其中所述基板包含對位標(biāo)志和切割線，且所述基板的所述對位標(biāo)志與所述切割線在第一方向上相隔一距離；

控制所述切割設(shè)備設(shè)定在原點模式，其中當(dāng)所述切割設(shè)備設(shè)定在所述原點模式時，所述對位系統(tǒng)、所述激光頭、和所述基板的所述切割線彼此對準(zhǔn)；

通過所述移動裝置控制所述對位系統(tǒng)沿著所述第一方向移動至對準(zhǔn)所述基板的所述對位標(biāo)志；以及

控制所述激光頭沿著所述切割線切割所述基板。

4.如權(quán)利要求3的切割方法，其特征在于，在控制所述對位系統(tǒng)沿著所述第一方向移動至對準(zhǔn)所述基板的所述對位標(biāo)志之后還包含：建立所述切割設(shè)備的切割模式，其中當(dāng)所述切割設(shè)備設(shè)定在所述切割模式時，所述對位系統(tǒng)對準(zhǔn)所述基板的所述對位標(biāo)志，且所述激光頭對準(zhǔn)所述基板的所述切割線。

5.如權(quán)利要求4的切割方法，其特征在于，在控制所述激光頭沿著所述切割線切割所述基板之后，所述切割方法還包含：

移除所述基板；

放置另一基板在所述承載臺上；

將所述切割設(shè)備設(shè)定在所述切割模式；以及

判斷所述對位系統(tǒng)是否對準(zhǔn)所述另一基板的對位標(biāo)志，若是，控制所述激光頭沿著切割線切割所述另一基板，若否，控制所述切割設(shè)備復(fù)歸到所述原點模式。

6.如權(quán)利要求3的切割方法，其特征在于，在控制所述切割設(shè)備設(shè)定在所述原點模式之前，所述切割方法還包含：

控制所述對位系統(tǒng)、所述激光頭、和所述基板的所述對位標(biāo)志彼此對準(zhǔn)；以及

控制所述承載臺帶動所述基板沿著所述第一方向移動所述距離，使得所述對位系統(tǒng)、所述激光頭、和所述基板的所述切割線彼此對準(zhǔn)，以建立所述切割設(shè)備的所述原點模式。

7.一種顯示面板的制造方法，其特征在于，包含：

形成薄膜晶體管陣列基板，其中所述薄膜晶體管陣列基板包含對位標(biāo)志和切割線，且所述薄膜晶體管陣列基板的所述對位標(biāo)志與所述切割線在第一方向上相隔一距離；

將所述薄膜晶體管陣列基板放置切割設(shè)備的承載臺上，其中所述切割設(shè)備包含所述承載臺、對位系統(tǒng)、移動裝置、和激光頭，且所述對位系統(tǒng)和所述激光頭分別位在所述承載臺的相對兩側(cè)，以及所述移動裝置與所述對位系統(tǒng)連接；

控制所述切割設(shè)備設(shè)定在原點模式，其中當(dāng)所述切割設(shè)備設(shè)定在所述原點模式時，所述對位系統(tǒng)、所述激光頭、和所述薄膜晶體管陣列基板的所述切割線彼此對準(zhǔn)；

通過所述移動裝置控制所述對位系統(tǒng)沿著所述第一方向移動至對準(zhǔn)所述薄膜晶體管陣列基板的所述對位標(biāo)志；以及

控制所述激光頭沿著所述切割線切割所述薄膜晶體管陣列基板；以及

在切割后的薄膜晶體管陣列基板上形成有機發(fā)光層。