[發明專利]基于43Ca+離子測量微弱高頻交變磁場的裝置及方法在審
| 申請號: | 201910198658.0 | 申請日: | 2019-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN109814049A | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發明(設計)人: | 周飛;熊飛雷;章嘉偉;李加沖;馮芒 | 申請(專利權)人: | 中國科學院武漢物理與數學研究所 |
| 主分類號: | G01R33/032 | 分類號: | G01R33/032 |
| 代理公司: | 武漢宇晨專利事務所 42001 | 代理人: | 李鵬;王敏鋒 |
| 地址: | 430071 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空室 高頻交變磁場 離子測量 低溫裝置 分布圓周 交變磁場 空間分辨 納米級別 離子阱 原子爐 中心點 底面 頂面 磁場 精密 測量 室內 | ||
1.基于43Ca+離子測量微弱高頻交變磁場的裝置,包括真空室(1),其特征在于,還包括設置在真空室(1)內的線形離子阱(2)和43Ca原子爐(3),
真空室(1)上周向均勻分布有第一CF63接口(A)、第二CF63接口(B)、第三CF63接口(C)、第四CF63接口(D)、第五CF63接口(E)、第六CF63接口(F)、第七CF63接口(G)和第八CF63接口(H),第一CF63接口(A)~第八CF63接口(H)的中心點位于同一分布圓周,真空室(1)的頂面設置有第一CF200接口(7),真空室(1)的底面設置有第二CF200接口(8),
第一CF63接口(A)上設置有用于入射光電離激光到線形離子阱(2)中心的通光窗口;第五CF63接口(E)上設置有用于入射多普勒冷卻激光和回泵激光到線形離子阱(2)中心的的通光窗口,且第一CF63接口(A)與第五CF63接口(E)分別安裝有磁場線圈(4),
第六CF63接口(F)設置有用于入射多普勒冷卻激光和回泵激光到線形離子阱(2)中心的通光窗口,
第八CF63接口(H)設置有用于入射態探測激光、態制備激光、量子位操作微波I、量子位操作微波II到線形離子阱(2)中心的通光窗口,
第二CF63接口(B)和第七CF63接口(G)均安裝了用來探測囚禁離子所發出的熒光的探測窗口(6),
第四CF63接口(D)安裝有探測窗口(6),第三CF63接口(C)通過六通真空連接器(20)分別與升華泵(17)、真空計(18)、真空角閥(19)和離子泵(21)連接。
2.根據權利要求1所述的基于43Ca+離子測量微弱高頻交變磁場的裝置,其特征在于,所述的線形離子阱(2)包括陶瓷固定架(24),以及固定在陶瓷固定架(24)上的直流電極(23)、射頻電極(22)和微運動補償電極(25),陶瓷固定架(24)固定在第一CF200接口(7)上,線形離子阱(2)產生的離子囚禁區位于線形離子阱(2)中心且位于真空室(1)中心。
3.根據權利要求2所述的基于43Ca+離子測量微弱高頻交變磁場的裝置,其特征在于,所述的第一CF200接口(7)上設置了第一CF40接口(12),第一CF40接口(12)上安裝有射頻饋通(13),射頻饋通(13)與射頻電極(22)連接,第一CF200接口(7)上設置有第一CF16接口(9),第一CF16接口(9)上安裝有直流饋通(11),第一CF16接口(9)上的直流饋通(11)分別與直流電極(23)以及微運動補償電極(25)連接,第一CF200接口(7)上還設置有與水平面呈60度夾角且用于入射邊帶冷卻激光的上額外CF40接口(15),第二CF200接口(8)上設置有第二CF40接口(14)和第二CF16接口(10),第二CF16接口(10)上安裝有與43Ca原子爐(3)連接的直流饋通(11)。
4.基于43Ca+離子測量微弱高頻交變磁場的方法,利用權利要求3所述的基于43Ca+離子測量微弱高頻交變磁場的裝置,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、對43Ca原子爐(3)通電加熱,產生鈣原子蒸氣,鈣原子蒸氣擴散到線形離子阱(2)中心;
步驟2、從第一CF63接口(A)入射光電離激光到線形離子阱(2)中心,光電離激光與43Ca原子相互作用,產生43Ca+離子;
步驟3、在射頻電極(22)上加載射頻電信號,在直流電極(23)上加載直流電壓信號,在微運動補償電極(25)上加載直流電壓信號,線形離子阱(2)產生囚禁43Ca+離子的離子囚禁區,被囚禁的43Ca+離子的經第五CF63接口(E)和第六CF63接口(F)同時入射的多普勒冷卻激光和回泵激光冷卻到1mK以下;
步驟4、從上額外CF40接口(15)入射邊帶冷卻激光到離子囚禁區的中心,從第五CF63接口(E)入射回泵激光到離子囚禁區的中心,對43Ca+離子進行邊帶冷卻;
步驟5、從第八CF63接口(H)的入射到離子囚禁區的中心的態探測激光、態制備激光,與從第五CF63接口(E)的入射到離子囚禁區的中心的回泵激光同時作用,將43Ca+離子制備初態到S1/2態;
步驟6、確定第一CF63接口(A)與第五CF63接口(E)上安裝的磁場線圈(4)產生的靜磁場的磁感應強度B,
其中,νg為待測交變磁場頻率,為已知值,β=2.86965×10-4MHz/G,x=B/1151.131,Ehf=3225.6082864MHz,
步驟7、確定從從第八CF63接口(H)入射的量子位操作微波I的頻率vI和量子位操作微波II的頻率vII分別為:
量子位操作微波I和量子位操作微波II使得43Ca+離子能級基態|0,->分別與能級|-1,+>、|0,+>發生共振躍遷;
步驟8、求取量子位操作微波I的振幅BI和量子位操作微波II的振幅BI分別為:
其中,Ω為步驟7中共振躍遷的Rabi頻率;
步驟9、利用從第八CF63接口(H)入射的態探測激光,以及從第五CF63接口(E)入射的回泵激光,測出43Ca+離子處在能級|0,+>隨著時間衍化的布居概率,經過設定時間的測量,測量到態|0,+>與|B>間的Rabi振蕩曲線,通過Rabi振蕩曲線計算出Rabi振蕩頻率,記本步驟的Rabi振蕩頻率為
求取待測交變磁場的振幅Bg:
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