[發明專利]光耦合輸出層材料、合成方法及其應用

在審

• 申請號: 201910193856.8
• 申請日: 2019-03-14
• 公開（公告）號: CN109912497A
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 羅佳佳
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: C07D209/94
• 分類號: C07D209/94;C07D413/14;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提供一種光耦合輸出層材料、合成方法及其應用。光耦合輸出層材料，通式所示結構為所述光耦合輸出層材料的合成方法包括：反應液配制步驟；目標化合物合成步驟；萃取步驟；目標化合物純化處理步驟。電致發光器件的光耦合輸出層所用材料為光耦合輸出層材料。本發明通過設計基于二芴并咔唑單元作為橋連中心，在末端連接其他吸收波段很窄的基團進行排列，使得CPL材料在蒸鍍過程中能夠按照一定的規則的排列，這樣CPL具有非常高的n值。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種用于電致發光二極管的光耦合輸出層材料、合成方法及其應用。

背景技術

有機電致發光二極管(organic light-emitting diodes，OLEDs)以其主動發光不需要背光源、發光效率高、可視角度大、響應速度快、溫度適應范圍大、生產加工工藝相對簡單、驅動電壓低，能耗小，更輕更薄，柔性顯示等優點以及巨大的應用前景，吸引了眾多研究者的關注。

對于目前使用的頂發射器件結構，其微腔效應能夠極大地提高器件效率，窄化光譜，拓寬色域。在器件結構中，光耦合輸出層材料(Coupling Layer，CPL)所發揮的作用巨大，高折射率(N)的材料不僅能夠提高器件效率，同時能夠減薄材料的厚度，達到節約材料降低成本的目的。

但一般CPL材料的n值較低，在蒸鍍制程中使用的厚度超過80nm，業界缺少相應的高n值CPL材料，并且即使能合成高n值CPL材料其合理的路線設計較長、合成效率低。

發明內容

針對以上現有技術存在的缺點和不足之處，本發明提供一種光耦合輸出層材料、合成方法及其應用，通過設計基于二芴并咔唑單元作為橋連中心，在末端連接其他吸收波段很窄的基團進行排列，使得CPL材料在蒸鍍過程中能夠按照一定的規則的排列，這樣CPL具有非常高的n值。其能夠實現棒狀高n值CPL材料的合成以及其在發光器件中的應用。

為實現上述目的，本發明一實施例中提供一種光耦合輸出層材料，具有通式所示結構：

其中，R₁的分子結構為以下分子結構中的任一種：

本發明又一實施例中提供一種光耦合輸出層材料的合成方法，包括以下步驟：

反應液配制步驟，將電子給體、電子受體以及催化劑置于反應容器中，獲得反應液；

目標化合物合成步驟，在溫度為100℃～140℃的條件下進行反應，獲得反應后的混合溶液，所述混合溶液中具有反應生成的目標化合物；

萃取步驟，將所述混合溶液冷卻至室溫，萃取所述混合溶液中的目標化合物；

目標化合物純化處理步驟，分離純化所述目標化合物，獲得所述光耦合輸出層材料；

其中，所述電子受體的分子結構為

所述電子給體的分子結構為以下結構式中的任一種：

所述催化劑包括醋酸鈀、三叔丁基膦四氟硼酸鹽以及叔丁醇鈉。

進一步的，其中所述催化劑中的醋酸鈀、三叔丁基膦四氟硼酸鹽以及叔丁醇鈉的摩爾比為(1：2：10)～(1：4：80)。

進一步的，其中在所述反應液配制步驟中，所述電子受體與所述電子給體的摩爾比為(1：1)～(1：3)。