[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件及制造多層陶瓷電子組件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910193560.6
• 申請(qǐng)日: 2019-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN111063540B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 禹錫均;車炅津;金正烈;趙志弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/008
• 分類號(hào): H01G4/008;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 祝玉媛;孫麗妍

1.一種制造多層陶瓷電子組件的方法，所述方法包括：

制備陶瓷生片；

通過將包括導(dǎo)電粉末的用于內(nèi)電極的膏體涂敷到所述陶瓷生片形成內(nèi)電極圖案；

通過層疊其上形成有所述內(nèi)電極圖案的所述陶瓷生片形成陶瓷層疊結(jié)構(gòu)；

通過燒結(jié)所述陶瓷層疊結(jié)構(gòu)形成包括介電層和內(nèi)電極的主體；以及

通過在所述主體上形成電極層并在所述電極層上形成導(dǎo)電樹脂層形成外電極，

其中，所述導(dǎo)電粉末包括導(dǎo)電金屬和錫，并且錫的基于所述導(dǎo)電金屬的重量的含量為1.5wt％或更高，并且

其中，所述導(dǎo)電粉末具有核-殼結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電金屬被包括在所述核中，并且所述錫被包括在所述殼中。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述殼通過原子層沉積工藝形成。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電粉末包括錫和所述導(dǎo)電金屬的合金。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電粉末另外包括選自由鎢、鉬、鉻、鈷及它們的合金組成的組中的至少一種材料。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電粉末另外包括選自由銅、銀、鈀、鉑、銠、銥、釕及它們的合金組成的組中的至少一種材料。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，用于內(nèi)電極的所述膏體基于所述導(dǎo)電粉末的含量另外包括300ppm或更少的含量的硫。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電金屬是鎳。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過涂敷包括玻璃和選自由銅、銀、鎳及它們的合金組成的組中的至少一種材料的膏體形成所述電極層，并且通過涂敷包括基體樹脂和選自由銅、銀、鎳及它們的合金組成的組中的至少一種材料的膏體形成所述導(dǎo)電樹脂層。

9.一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括：

主體，包括介電層和內(nèi)電極；以及

外電極，包括電極層和導(dǎo)電樹脂層，所述電極層設(shè)置在所述主體上并且連接到所述內(nèi)電極，所述導(dǎo)電樹脂層設(shè)置在所述電極層上，

其中，所述內(nèi)電極包括金屬晶粒和包封所述金屬晶粒的復(fù)合層，并且所述復(fù)合層包括鎳和錫。

10.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述復(fù)合層具有從1nm至15nm的范圍內(nèi)的厚度。

11.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述金屬晶粒是鎳晶粒。

12.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電子組件，其中，85％≤C，其中，C是形成所述內(nèi)電極的部分的長(zhǎng)度與所述內(nèi)電極的總長(zhǎng)度的比。

13.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述電極層包括玻璃和選自由銅、銀、鎳及它們的合金組成的組中的至少一種材料，并且所述導(dǎo)電樹脂層包括基體樹脂和選自由銅、銀、鎳及它們的合金組成的組中的至少一種材料。

14.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述內(nèi)電極具有小于1μm的厚度，并且所述介電層具有小于2.8μm的厚度。

15.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電子組件，其中，td2×te，其中，te是所述內(nèi)電極的厚度，并且td是所述介電層的厚度。