[發明專利]一種抑制ZCuSn10P1合金錫元素偏析的連續制備半固態漿料的裝置和方法有效
| 申請號: | 201910192686.1 | 申請日: | 2019-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN110000344B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 周榮鋒;王靜波;李璐;李永坤;蔡培霖;蔣業華 | 申請(專利權)人: | 昆明理工大學 |
| 主分類號: | B22D1/00 | 分類號: | B22D1/00 |
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| 地址: | 650093 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抑制 zcusn10p1 合金 元素 偏析 連續 制備 固態 漿料 裝置 方法 | ||
1.一種抑制ZCuSn10P1合金錫元素偏析的連續制備半固態漿料的裝置,其特征在于:包括控制冷卻裝置、類等溫裝置和澆注轉盤裝置;
所述控制冷卻裝置包括澆口杯(1)、操作臺(2)和傾斜板(6),類等溫裝置包括反應釜(10)、感應加熱器(12)、感應加熱器控制裝置(13)和浮塊(11),澆注轉盤裝置包括石墨坩堝(3)、旋轉臺(4)、旋轉控制裝置(5)和旋轉動力機構;
所述操作臺(2)上插入澆口杯(1),澆口杯(1)底部連通傾斜板(6),傾斜板(6)底部出口與反應釜(10)頂部上端相通,反應釜(10)上均勻設有感應加熱器(12),感應加熱器(12)連接感應加熱器控制裝置(13),反應釜(10)底部設有澆注口,浮塊(11)包括上浮塊、口塞和將上浮塊及口塞連接的連接桿,口塞能堵住澆注口出口,上浮塊密度比ZCuSn10P1合金熔體密度小;
所述澆注口底部設有石墨坩堝(3),若干石墨坩堝(3)均勻設在旋轉臺(4)表面,旋轉臺(4)設有帶動旋轉臺(4)轉動的旋轉動力機構,旋轉動力機構與旋轉控制裝置(5)連接。
2.根據權利要求1所述的抑制ZCuSn10P1合金錫元素偏析的連續制備半固態漿料的裝置,其特征在于:所述傾斜板(6)為上傾斜板(7)和下傾斜板(9)組裝而成,傾斜板(6)內部為中空結構,上傾斜板(7)表面設有通水口(8)和出水口,通水口(8)連接水管,出水口連接空管進行排水。
3.根據權利要求1所述的抑制ZCuSn10P1合金錫元素偏析的連續制備半固態漿料的裝置,其特征在于:所述傾斜板(6)厚度為3~6mm、寬度為100mm、長度為300mm,傾斜角度為45°。
4.一種抑制ZCuSn10P1合金錫元素偏析的連續制備半固態漿料的方法,其特征在于具體步驟如下:
步驟1、將1100℃ZCuSn10P1合金熔液澆入到澆口杯(1)中,ZCuSn10P1合金熔液以薄層形式快速流經傾斜板(6),熔體溫度快速冷卻至950℃;
步驟2、經步驟1流經傾斜板(6)后的熔體進入到反應釜(10)中,通過感應加熱器(12)通電對反應釜(10)加熱對熔體形成一個850~900℃類等溫的保溫過程,直至反應釜(10)中熔體容量增至將浮塊(11)中上浮塊升起來且口塞與澆注口分離;
步驟3、步驟2澆注口出來的熔體澆注到石墨坩堝(3)中,石墨坩堝(3)在旋轉臺(4)帶動下依次位于澆注口下端接收熔體。
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