[發(fā)明專利]一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910191808.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109817612A | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柯俊吉;蔡雨萌;孫鵬;趙志斌;崔翔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華北電力大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L25/18 | 分類號(hào): | H01L25/18;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 程華 |
| 地址: | 100000 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碳化硅芯片 封裝結(jié)構(gòu) 電熱 銅底板 碳化硅功率模塊 電流路徑 功率回路 驅(qū)動(dòng)信號(hào) 焊接型 長(zhǎng)邊 減小 底板 頂針 面積利用率 串聯(lián)結(jié)構(gòu) 單元共用 放置方式 分布方式 散熱熱阻 引出方式 散熱 并聯(lián) 螺紋 銅塊 封裝 優(yōu)化 | ||
1.一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括銅底板,DBC板和碳化硅芯片;
所述碳化硅芯片,以每?jī)蓚€(gè)為一個(gè)單元進(jìn)行并聯(lián),長(zhǎng)邊沿著所述銅底板的長(zhǎng)邊平行排列放置,每?jī)蓚€(gè)單元共用一塊DBC板,所述兩個(gè)單元為串聯(lián)結(jié)構(gòu),所述DBC板固定在所述銅底板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)還包括驅(qū)動(dòng)信號(hào)端子,所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)端子采用頂針?lè)绞街苯右?,與外部進(jìn)行電氣互連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)端子包括柵極信號(hào)端子和輔助源極信號(hào)端子,所述柵極信號(hào)端子和輔助源極信號(hào)端子通過(guò)鍵合線引出到DBC板,而后由頂針直接引出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)還包括功率回路端子,所述功率回路端子采用銅塊引出。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述功率回路端子包括正極引出端子、負(fù)極引出端子和交流輸出端子,所述正極引出端子、負(fù)極引出端子和交流輸出端子采用銅塊引出;所述銅塊為一個(gè)下底板和一個(gè)方體的一體結(jié)構(gòu),所述下底板和所述方體寬相同,所述下底板的長(zhǎng)比所述方體長(zhǎng),所述方體位于所述下底板中心位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述銅塊的方體上表面設(shè)有一個(gè)螺紋孔,用于與封裝外殼螺紋連接,所述下底板與所述方體接觸的面為所述下底板的第一表面,所述第一表面未與所述方體重疊的部分為第二表面和第三表面,所述第二表面和第三表面上設(shè)有小孔,用于端子焊接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)還包括鍵合線,用于連接碳化硅功率模塊上橋臂源極與下橋臂漏極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)還包括鍵合線,用于碳化硅芯片的柵極、源極和輔助源極的引出。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善焊接型碳化硅功率模塊電熱性能的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)還包括可拆卸式封裝外殼。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華北電力大學(xué),未經(jīng)華北電力大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910191808.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





