[發(fā)明專利]用于生成PUF特征碼的裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910189870.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111695162B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊家奇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F21/73 | 分類號(hào): | G06F21/73;H04L9/32 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人: | 高偉;卜璐璐 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 生成 puf 特征 裝置 | ||
1.一種用于生成PUF特征碼的裝置,其特征在于,所述裝置包括PUF基本單元、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和計(jì)算單元,其中:
所述PUF基本單元包括多個(gè)電阻器件和為所述電阻器件提供電流的電流源,所述多個(gè)電阻器件包括在待生成PUF特征碼的設(shè)備中,每個(gè)所述電阻器件的電阻值隨工藝因素的變化而變化;
所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器獲取每個(gè)所述電阻器件兩端的模擬的電壓值,并將每個(gè)所述電阻器件兩端的模擬的電壓值轉(zhuǎn)換為數(shù)字的電壓碼值;
所述計(jì)算單元基于所述電壓碼值確定所述多個(gè)電阻器件各自的電阻碼值,計(jì)算所述電阻碼值的均值,并基于每個(gè)所述電阻器件的電阻碼值與所述均值的大小關(guān)系生成所述設(shè)備的PUF特征碼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述計(jì)算單元進(jìn)一步用于:將所述均值加入到所述PUF特征碼中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述計(jì)算單元進(jìn)一步用于:計(jì)算所述多個(gè)電阻器件的電阻碼值的標(biāo)準(zhǔn)差,并將所述標(biāo)準(zhǔn)差加入到所述PUF特征碼中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述計(jì)算單元進(jìn)一步用于:將表示以下中的至少一項(xiàng)的碼加入到所述PUF特征碼中:
所述電阻碼值中是否存在大于標(biāo)準(zhǔn)最大值的電阻碼值;
所述電阻碼值中是否存在小于標(biāo)準(zhǔn)最小值的電阻碼值;
所述電阻碼值的標(biāo)準(zhǔn)差是否滿足標(biāo)準(zhǔn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述PUF基本單元包括多個(gè)PUF子單元,每個(gè)所述PUF子單元包括一個(gè)所述電阻器件和一個(gè)所述電流源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述PUF基本單元包括多個(gè)PUF子單元,每個(gè)所述PUF子單元包括一個(gè)所述電阻器件,所述多個(gè)PUF子單元共享一個(gè)所述電流源。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的裝置,其特征在于,每個(gè)所述PUF子單元還包括一個(gè)開關(guān),所述開關(guān)的一端連接所述電阻器件,另一端連接所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的裝置,其特征在于,所述電阻器件為具有開關(guān)功能的器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,所述電阻器件為N阱電阻器件或NMOS晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述裝置包括在所述待生成PUF特征碼的設(shè)備中。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司,未經(jīng)中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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