[發明專利]一種高增益雙頻片上天線

在審

• 申請號: 201910189799.6
• 申請日: 2019-03-13
• 公開（公告）號: CN110085969A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 劉馬良;蘭皓坤;朱樟明;楊銀堂
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/30
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 張捷

1.一種高增益雙頻片上天線，其特征在于，包括自下而上依次設置的饋源結構(1)、第一填充層(2)和電磁帶隙結構(3)，其中，

所述饋源結構(1)用于將高頻電流轉換成輻射的電磁波；

所述第一填充層(2)用于支撐所述電磁帶隙結構(3)；

所述電磁帶隙結構(3)用于實現所述電磁波在特定頻帶范圍內的傳播。

2.根據權利要求1所述的高增益雙頻片上天線，其特征在于，所述饋源結構(1)包括自下而上依次設置的金屬地層(11)、第一介質層(12)、硅襯底層(13)、二氧化硅層(14)和金屬振子(15)，其中，所述金屬振子(15)位于所述二氧化硅層(14)上并且與所述二氧化硅層(14)形成非中心對稱結構。

3.根據權利要求2所述的高增益雙頻片上天線，其特征在于，所述金屬振子(15)為對稱振子，包括相互對稱的兩個帶狀金屬片(151)，且兩個所述帶狀金屬片(151)的對稱軸(S)平行于所述二氧化硅層(14)的寬度方向。

4.根據權利要求3所述的高增益雙頻片上天線，其特征在于，所述二氧化硅層(14)為長方形結構，兩個所述帶狀金屬片(151)的長度方向均與所述二氧化硅層(14)的長度方向平行。

5.根據權利要求4所述的高增益雙頻片上天線，其特征在于，所述金屬振子(15)的中心點在所述二氧化硅層(14)上表面上的投影(A)與所述二氧化硅層(14)上表面的中心點(B)的距離為0.05mm-0.2mm。

6.根據權利要求5所述的高增益雙頻片上天線，其特征在于，所述硅襯底層(13)的厚度為100～200μm。

7.根據權利要求6所述的高增益雙頻片上天線，其特征在于，所述第一填充層(2)設置在所述金屬振子(15)上。

8.根據權利要求7所述的高增益雙頻片上天線，其特征在于，所述電磁帶隙結構(3)包括自下而上依次設置的第二介質層(31)、第二填充層(32)和第三介質層(33)，所述第二介質層(31)設置在所述第一填充層(2)上。

9.根據權利要求8所述的高增益雙頻片上天線，其特征在于，所述第一介質層(12)、所述第二介質層(31)和所述第三介質層(33)分別為二氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層、錳鋅鐵氧體層或鎳鋅鐵氧體層中的任一種。