[發明專利]光檢測裝置和電子設備

有效

• 申請號: 201910188795.6
• 申請日: 2013-10-10
• 公開（公告）號: CN110246854B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 梅林拓;田谷圭司;井上肇;金村龍一
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李晗;曹正建

1.一種光檢測裝置，其包括：

第一半導體部，所述第一半導體部包括多個光電二極管和第一多個晶體管，其中所述第一多個晶體管包括傳輸晶體管、復位晶體管、放大晶體管和選擇晶體管中的至少一者；

第二半導體部，所述第二半導體部包括第二多個晶體管；

第三半導體部，所述第三半導體部包括第三多個晶體管，

其中所述第一半導體部、所述第二半導體部和所述第三半導體部之中的至少兩者通過第一連接部電連接，

其中所述第一連接部包括第一布線和第二布線，使得所述第一布線和所述第二布線彼此連接，且所述第一連接部貫穿所述第一半導體部。

2.如權利要求1所述的光檢測裝置，

其中所述第一半導體部包括第一布線層，所述第二半導體部包括第二布線層，且所述第三半導體部包括第三布線層，

其中所述第一連接部將所述第一布線層、所述第二布線層和所述第三布線層之中的至少兩者電連接。

3.如權利要求1所述的光檢測裝置，其中所述第一半導體部和所述第二半導體部通過所述第一連接部彼此電連接，且其中所述第二半導體部和所述第三半導體部通過第二連接部彼此電連接。

4.如權利要求1所述的光檢測裝置，其中所述第二半導體部和所述第三半導體部通過所述第一連接部彼此電連接，且其中所述第一半導體部和所述第二半導體部通過第二連接部彼此電連接。

5.如權利要求3所述的光檢測裝置，

其中所述第一半導體部包括第一布線層，所述第二半導體部包括第二布線層，且所述第三半導體部包括第三布線層，

其中所述第一布線層和所述第二布線層通過所述第一連接部彼此電連接，

其中所述第二布線層和所述第三布線層通過所述第二連接部彼此電連接。

6.如權利要求3所述的光檢測裝置，

其中所述第一半導體部包括第一布線層，所述第二半導體部包括第二布線層，且所述第三半導體部包括第三布線層，

其中所述第二布線層和所述第三布線層通過所述第一連接部彼此電連接，

其中所述第一布線層和所述第二布線層通過所述第二連接部彼此電連接。

7.如權利要求3所述的光檢測裝置，其中所述第二連接部包括第三布線和第四布線，使得所述第三布線和所述第四布線彼此連接。

8.如權利要求4所述的光檢測裝置，其中所述第二連接部包括第三布線和第四布線，使得所述第三布線和所述第四布線彼此連接。

9.如權利要求3所述的光檢測裝置，其中所述第二連接部包括硅通孔，所述硅通孔貫穿所述第二半導體部的至少一部分。

10.如權利要求4所述的光檢測裝置，其中所述第二連接部包括硅通孔，所述硅通孔貫穿所述第一半導體部的至少一部分。

11.如權利要求3所述的光檢測裝置，其中所述第二連接部包括水平延伸部和垂直延伸部。

12.如權利要求4所述的光檢測裝置，其中所述第二連接部包括水平延伸部和垂直延伸部。

13.如權利要求2所述的光檢測裝置，其中所述第二布線層布置在所述第二半導體部的第一側，且第四布線層布置在所述第二半導體部的第二側，所述第二半導體部的所述第二側與所述第二半導體部的所述第一側相對。

14.如權利要求2所述的光檢測裝置，其中所述多個光電二極管布置在所述第一半導體部的作為光入射側的第一側，且所述第一布線層布置在所述第一半導體部的第二側，所述第一半導體部的所述第二側與所述第一半導體部的所述第一側相對。