[發明專利]無機發光二極管芯片、其制備方法及顯示基板

在審

• 申請號: 201910188660.X
• 申請日: 2019-03-13
• 公開（公告）號: CN109920891A
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 王國強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/36;H01L33/00;H01L27/15
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;蔡麗

1.一種無機發光二極管芯片，包括非摻雜氮化鎵層及設置于所述非摻雜氮化鎵層上的發光單元，其特征在于，所述發光單元包括依次設置的第一N型氮化鎵層、第一多量子阱層、第一P型氮化鎵層、第二多量子阱層和第二N型氮化鎵層；

所述第二多量子阱層在所述非摻雜氮化鎵層上的正投影小于第一多量子阱層在所述非摻雜氮化鎵層上的正投影；

所述第二多量子阱層與所述第一多量子阱層發光顏色不同。

2.根據權利要求1所述的無機發光二極管芯片，其特征在于，所述第一P型氮化鎵層與所述第二多量子阱層之間還設置有第二P型氮化鎵層。

3.根據權利要求1所述的無機發光二極管芯片，其特征在于，所述第一多量子阱層為藍光多量子阱層或者綠光多量子阱層；所述第二多量子阱層為藍光多量子阱層或者綠光多量子阱層。

4.根據權利要求1所述的無機發光二極管芯片，其特征在于，所述第二N型氮化鎵層上設置有透明電極；所述第一P型氮化鎵層表面上未被所述第二多量子阱層覆蓋的部分，設置有透明電極；

所述透明電極延伸至非發光區域，位于所述非發光區域的透明電極上設置有焊接點。

5.根據權利要求1所述的無機發光二極管芯片，其特征在于，所述第一N型氮化鎵層包括第一多量子阱層覆蓋的區域和非覆蓋區域，所述非覆蓋區域上設置有透明電極；

所述透明電極延伸至非發光區域，在非發光區域的透明電極上設置有焊接點。

6.根據權利要求4或5所述的無機發光二極管芯片，其特征在于，所述透明電極與焊接點之間設置有氮化硅層。

7.根據權利要求3所述的無機發光二極管芯片，其特征在于，所述第二多量子阱層在所述非摻雜氮化鎵層的正投影面積占所述第一多量子阱層在所述非摻雜氮化鎵層上的正投影面積的40～60％。

8.一種無機發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

形成非摻雜氮化鎵層；

在所述非摻雜氮化鎵層上依次形成第一N型氮化鎵層、第一多量子阱層及第一P型氮化鎵層；

對所述第一N型氮化鎵層、第一多量子阱層及第一P型氮化鎵層進行刻蝕處理，形成第一子發光單元；

在所述第一P型氮化鎵層表面上沉積二氧化硅層，進行刻蝕處理，去除位于第一區域的二氧化硅層，以暴露出位于所述第一區域的所述第一P型氮化鎵層；

在所述第一區域形成第二多量子阱層；所述第二多量子阱層與所述第一多量子阱層發光顏色不同；

在所述第二多量子阱層表面形成第二N型氮化鎵層；

對所述第二多量子阱層和第二N型氮化鎵層進行刻蝕，形成第二子發光單元；

去除位于所述第一區域以外的二氧化硅層，暴露出第一P型氮化鎵層；

剝離襯底。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述第一區域形成第二多量子阱層，具體包括：

在所述第一區域處形成第二P型氮化鎵層；

在所述第二P型氮化鎵層表面形成第二多量子阱層。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，去除位于所述第一區域以外的二氧化硅層后，還包括：在所述暴露出的第一P型氮化鎵層的表面形成透明電極；

所述透明電極延伸至非發光區域，在非發光區域的透明電極上形成焊接點。

11.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，形成第二子發光單元后，還包括：在所述第一N型氮化鎵層的未被所述第一多量子阱層覆蓋的區域表面以及第二N型氮化鎵層表面形成透明電極；

所述透明電極延伸至非發光區域，在非發光區域的透明電極上形成焊接點。