[發明專利]準光學微腔結構太陽光譜選擇性吸收涂層及其制備方法

有效

• 申請號: 201910188508.1
• 申請日: 2019-03-13
• 公開（公告）號: CN109883073B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 曹峰;伍作徐;張倩;劉一杰;魏東
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學（深圳）
• 主分類號: F24S70/225
• 分類號: F24S70/225;F24S70/30;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 深圳市添源知識產權代理事務所(普通合伙) 44451
• 代理人: 黎健任

1.一種準光學微腔結構太陽光譜選擇性吸收涂層，其特征在于，包括三部分：由下而上依次是金屬紅外反射層、準光學微腔吸收體、光學減反層，

其中，準光學微腔吸收體由金屬陶瓷1-金屬-金屬陶瓷2結構構成，

所述金屬為金屬W，金屬陶瓷1為W-SiO₂金屬陶瓷1，金屬陶瓷2為W-SiO₂金屬陶瓷2，.光學減反層為Al₂O₃光學減反層1和SiO₂光學減反層2；

其中，由下而上依次為：金屬W紅外反射層為50-150nm，W-SiO₂金屬陶瓷1為30-60nm，中間金屬W層為3-15nm，W-SiO₂金屬陶瓷2為45-65nm，Al₂O₃光學減反層1為10-30nm，SiO₂光學減反層2厚度為45-70nm；

并且，金屬陶瓷成分W：SiO₂的體積占比為1：5到2：3。

2.一種制備權利要求1所述的一種準光學微腔結構太陽光譜選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于，包括：

采用機械拋光的不銹鋼304作為襯底，利用高真空多靶磁控濺射系統對該吸收涂層進行由下而上沉積，其中，金屬W采用的是直流濺射沉積，功率密度為2.00-2.50(W cm^-2)，Al₂O₃光學減反層1和SiO₂光學減反層2采用的是射頻濺射，功率密度為3.00-4.00(W cm^-2)，W-SiO₂金屬陶瓷依次采用直流和射頻共濺射沉積，其濺射功率密度分別為0.50-1.00(W cm^-2)和3.50-4.50(W cm^-2)。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

1)機械拋光的不銹鋼先后用丙酮和無水乙醇進行擦洗干凈，進行基片固定；

2)抽真空，本底真空小于4×10^-4Pa；

3)對基片進行偏壓清洗，氬氣環境，氣壓為0.6-0.8Pa，清洗時間3-5min；

4)開始濺射，在氬氣環境下，氣壓為0.3-0.5Pa，依次濺射紅外金屬W反射層，準光學微腔吸收體，和光學減反層；

5)沉積完成后，在真空腔內放置20-25min，取樣。