[發明專利]適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法

有效

• 申請號: 201910186817.5
• 申請日: 2019-03-13
• 公開（公告）號: CN110034111B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 馬亮;張登軍;查小芳;趙士鈺;劉大海;楊小龍;安友偉;李迪;逯釗琦
• 申請（專利權）人: 珠海博雅科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 陳慧華

本發明公開了一種適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法，包括以下步驟：將基準電阻劃分為若干組屬；各個組屬的基準電阻混合排布在晶圓的電阻區域上；相同組屬的基準電壓互相串聯組成Banba結構帶隙基準電壓源中的電阻，組屬的數量與Banba結構帶隙基準電壓源中電阻的數量相同。本發明采用了均勻混合的方式將不同組屬的基準電阻分布在晶圓的電阻區域上，相當于將Banba結構帶隙基準電壓源的電阻拆散成一個個基準電阻隨機分布在晶圓上，以此減小晶圓注入、摻雜濃度對電阻的影響，可使基準電壓源輸出的參考電壓Vref的值的分布更加集中。

技術領域

本發明涉及存儲芯片電路版圖設計領域，特別涉及一種適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法。

背景技術

Banba結構的帶隙基準電壓源廣泛應用在IC電路上，這種結構的基準電壓源工作電壓低、功耗低并且結構簡單，但是存儲芯片電路中常規的十字交叉形、中心對稱形或中軸對稱形等元器件設計方法，無法直接應用Banba結構的基準電壓源，原因就在于Banba結構的參考電壓Verf的準確度與Banba結構中的電阻有關，而電路電阻在cmos工藝中容易受晶圓上的注入、摻雜濃度的影響，本身偏差較大，因此導致現有的版圖設計方法下，Banba結構的基準電壓源準確度不高。

發明內容

本發明的目的在于至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提供一種適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法，減小晶圓上注入、摻雜濃度對電阻的影響，使Banba結構的帶隙基準電壓源的電阻匹配性更好，輸出的參考電壓 Vref的值的分布更加集中。

根據本發明提供的一種適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法，包括以下步驟：

將基準電阻劃分為若干組屬，不同組屬的基準電阻的數量的比例為X；

各個組屬的基準電阻混合排布在晶圓的電阻區域上，使在所述電阻區域中任意一塊包含有全部組屬基準電阻的小區域中，不同組屬的基準電阻的數量的比例約等于X；

相同組屬的基準電壓互相串聯，組成Banba結構帶隙基準電壓源的其中一個電阻，組屬的數量與Banba結構帶隙基準電壓源中電阻的數量相同。

上述適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法至少具有以下有益效果：Banba結構帶隙基準電壓源中的電阻由均勻混合在晶圓上基準電阻串聯而成，因此Banba結構帶隙基準電壓源中的每個電阻實際上都分布在晶圓表面，從宏觀上看即Banba結構帶隙基準電壓源的幾個電阻克服了晶圓注入、摻雜濃度對電阻阻值的影響，此時再通過調整基準電阻的數量，即可使基準電壓源輸出的參考電壓Vref的值的分布更加集中。

根據本發明所述的適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法，還包括以下步驟：

在所述電阻區域邊緣對整條邊緣填充dummy電阻，組成用于分隔相鄰的兩個電路版圖的邊界，并在所述電阻區域的非邊緣位置按點填充dummy電阻。以單個電路版圖來看，dummy電阻在邊緣上具備分隔功能，在非邊緣位置具備減小中間過程中的偏差、保證光刻準確性等功能。

根據本發明所述的適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法，每個基準電阻最多由四個其他基準電阻圍繞，相鄰的兩個基準電阻屬于不同的組屬。采用這種結構的分布方式可以保證小區域內不會出現大量相同組屬的基準電阻，可以減小因此該小區域中晶圓注入、摻雜濃度異常帶來的影響。

根據本發明所述的適于Banba結構帶隙基準電壓源的版圖設計方法，組屬的數量為四個，Banba結構帶隙基準電壓源的電阻數為四個，分別是R1、R2、R3L 和R3R，四個組屬分別與R1、R2、R3L和R3R相對應，比例X＝R1：R2：R3L： R3R。按照基本的Banba結構帶隙基準電壓源設置電阻數量，由此基準電阻分為四個組屬，組屬之前的比例與Banba結構帶隙基準電壓源的電阻阻值的比例相同，能夠幫助電路版圖設計人員方便設置阻值。