[發明專利]一種成膜設備和成膜方法在審
| 申請號: | 201910186076.0 | 申請日: | 2019-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN111696848A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 林偉華;魏明蕊;劉科學;王玉霞 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 設備 方法 | ||
1.一種成膜設備,包括反應腔室和第一進氣管路,所述第一進氣管路的出氣端與所述反應腔室連接,且在所述第一進氣管路上設置有第一通斷閥,其特征在于:還包括吹掃管路、排氣管路和尾氣處理裝置,其中,所述吹掃管路的出氣端與所述第一進氣管路連接,且連接點位于所述第一通斷閥的上游;所述排氣管路分別與所述第一進氣管路和所述尾氣處理裝置連接,所述排氣管路與所述第一進氣管路的連接點位于所述第一通斷閥和所述吹掃管路與所述第一進氣管路的連接點之間,且在所述排氣管路上設置有第二通斷閥。
2.根據權利要求1所述的成膜設備,其特征在于:在所述反應腔室的頂部設有第一進氣口,所述第一進氣管路的出氣端與所述第一進氣口連接;并且,
在所述反應腔室的靠近基座的腔室壁上設有第二進氣口;所述成膜設備還包括用于向所述反應腔室內通入稀釋氣體的第二進氣管路,所述第二進氣管路的出氣端與所述第二進氣口連接。
3.根據權利要求1或2所述的成膜設備,其特征在于:在所述反應腔室的靠近基座的腔室壁上還設置有排氣口;所述成膜設備還包括尾氣管路,所述尾氣管路分別與所述排氣口和所述尾氣處理裝置連接。
4.根據權利要求1所述的成膜設備,其特征在于:所述成膜設備還包括第一支路、第二支路和源瓶,所述源瓶內盛放有反應物,并且,在所述吹掃管路上設置有第三通斷閥;
所述第一支路的進氣端與所述吹掃管路連接,且位于所述第三通斷閥的上游;所述第一支路的出氣端與所述源瓶的進氣端連接;并且,在所述第一支路上設置有第四通斷閥;
所述第二支路的出氣端與所述吹掃管路連接,且位于所述第三通斷閥的下游;所述第二支路的進氣端與所述源瓶的出氣端連接;并且,在所述第二支路上設置有第五通斷閥。
5.根據權利要求4所述的成膜設備,其特征在于,所述第一進氣管路的進氣端與氧氣源連接;所述源瓶內盛放有液態或固態的DCE。
6.根據權利要求2所述的成膜設備,其特征在于,所述稀釋氣體包括氮氣。
7.根據權利要求1所述的成膜設備,其特征在于,所述吹掃管路的進氣端與氮氣源連接。
8.一種成膜方法,其特征在于,所述成膜方法采用如權利要求1-7任意一項所述的成膜設備進行成膜工藝,所述成膜方法包括以下步驟:
S1:關閉所述第一通斷閥,開啟所述第二通斷閥,利用所述吹掃管路向所述第一進氣管路中通入所述吹掃氣體,以對管路進行吹掃,通入所述第一進氣管路的吹掃氣體經由所述排氣管路直接進入所述尾氣處理裝置;
S2:關閉所述第二通斷閥,開啟所述第一通斷閥,利用所述吹掃管路向所述第一進氣管路中通入吹掃氣體和反應物的混合物,并利用所述第一進氣管路向所述反應腔室內通入工藝氣體,以對被加工工件進行所述成膜工藝;
S3:保持所述第一通斷閥開啟,且開啟所述第二通斷閥,利用所述吹掃管路向所述第一進氣管路中通入所述吹掃氣體,以同時對所述管路和所述反應腔室進行吹掃。
9.根據權利要求8所述的成膜方法,其特征在于:在所述反應腔室的頂部設有第一進氣口,所述第一進氣管路的出氣端與所述第一進氣口連接;并且,在所述反應腔室的靠近基座的腔室壁上設有第二進氣口;所述成膜設備還包括用于向所述反應腔室內通入稀釋氣體的第二進氣管路,所述第二進氣管路的出氣端與所述第二進氣口連接;
在所述步驟S2中,利用所述第一進氣管路向所述反應腔室內通入工藝氣體的同時,利用所述第二進氣管路向所述反應腔室內通入所述稀釋氣體。
10.根據權利要求8所述的成膜方法,其特征在于:在進行所述步驟S1的整個過程中,使所述反應腔室的溫度逐漸升高到第一預設值。
11.根據權利要求10所述的成膜方法,其特征在于:在進行所述步驟S3的整個過程中,將所述反應腔室的溫度自所述第一預設值逐漸下降。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





