[發(fā)明專利]微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法及其應(yīng)用和微流控芯片的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910185879.4
• 申請日: 2019-03-12
• 公開（公告）號: CN109877404B
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李勇;王志強;鐘昊;孔全存;劉國棟;徐濤;索軼平
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)天津高端裝備研究院;清華大學(xué)
• 主分類號: B23H3/00
• 分類號: B23H3/00;B23H3/04;B01L3/00;B29C33/38
• 代理公司: 11371 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 劉蘭

1.一種微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)提供具有圓錐形尖端的第三微細(xì)圓錐電極，所述圓錐形尖端的高度為H₃；

(b)使用所述第三微細(xì)圓錐電極電解銑削工件，使所述工件形成底端圓角為R₁的V形槽的主體輪廓；

(c)在線加工所述第三微細(xì)圓錐電極成為第四尖端圓錐電極，使所述第四尖端圓錐電極的圓錐形尖端的高度H₄＜H₃；

(d)使用所述第四尖端圓錐電極電解銑削所述V形槽的主體輪廓的底端，得到底端圓角為R₂的V形槽，R₂＜R₁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，步驟(a)中，先將第一圓柱電極在線加工成為直徑為D₃的第二微細(xì)圓柱電極，然后在線將第二微細(xì)圓柱電極加工成為所述第三微細(xì)圓錐電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，使用電解反拷加工或電火花反拷加工將所述第二微細(xì)圓柱電極加工成為所述第三微細(xì)圓錐電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極的電極直徑D₃為20～180μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極的圓錐角度為30°～180°。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極的圓錐高度H₃為50～200μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極電解銑削工件包括使用旋轉(zhuǎn)的第三微細(xì)圓錐電極，在電壓為V₁的條件下對工件進行分層掃描電解加工，形成底端圓角為R₁的V形槽的主體輪廓；所述分層掃描電解加工包括先單層掃描加工工件，然后再按照分層厚度c₁逐層進給。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極的電極轉(zhuǎn)速為300～1000r/min。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極分層掃描電解工件的掃描速度為180～360μm/s。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極與工件的加工間隙為10～50μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，分層厚度為c₁為1～10μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，電壓V₁為6～12V。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極相對工件做的平面運動是直線運動。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極相對工件做的平面運動是曲線運動。

15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流控芯片注塑模具V形槽的制備方法，其特征在于，第三微細(xì)圓錐電極的軸線與工件表面的法線平行。