[發明專利]石墨烯表面等離激元器件、表面等離激元波導及光電器件

有效

• 申請號: 201910185384.1
• 申請日: 2019-03-12
• 公開（公告）號: CN109765648B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 湯林龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院重慶綠色智能技術研究院
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00;G02B6/122;G02F1/01
• 代理公司: 北京元本知識產權代理事務所(普通合伙) 11308
• 代理人: 黎昌莉

1.一種石墨烯表面等離激元器件，包括襯底，其特征在于，還包括位于所述襯底上的類電容結構，以及位于所述類電容結構上的電極層，其中，所述類電容結構從下至上依次包括：導電周期性散射體、介電層、石墨烯層；

所述導電周期性散射體為至少兩個周期為10nm-1000nm的一維導電光柵層沿柵線方向拼接而成的二維導電光柵層；

所述電極層與所述導電周期性散射體之間加載電壓，對所述石墨烯層的電子濃度進行調節。

2.如權利要求1所述的石墨烯表面等離激元器件，其特征在于，還包括設置在所述襯底與所述導電周期性散射體之間的反射增強層；和/或，還包括設置在所述石墨烯層的上方，或下方，或同時設置在所述石墨烯層的上方和下方的保護層。

3.如權利要求1或2所述的石墨烯表面等離激元器件，其特征在于，所述石墨烯層為1-15層連續的且未經納米圖形化的石墨烯；和/或，所述介電層的材質為絕緣材料或半導體材料，其厚度為0.3nm-500nm。

4.如權利要求書3所述的石墨烯表面等離激元器件，其特征在于，所述介電層的材料為硅、鍺、二氧化硅、氧化鋁、氧化鉿、氧化鈦、溴化鉀、氟化鈣、金剛石、類金剛石、氮化硼、氮化硅、氟化鎂、氟化鋇、硫化鋅、硒化鋅、聚乙烯、碘化銫、氯化鉀、氯化鈉、硫系玻璃中的任意一種或者兩種以上；和/或，

所述導電周期性散射體/所述一維導電光柵層的材料為單質金屬，或金屬合金，或導電化合物，或二維導電材料。

5.一種光電器件，其特征在于，包括如權利要求1至4中任意一項所述的石墨烯表面等離激元器件。